[發明專利]壓印傾斜角光柵的方法有效
| 申請號: | 201980024539.1 | 申請日: | 2019-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN111971611B | 公開(公告)日: | 2022-07-19 |
| 發明(設計)人: | 邁克爾·于-泰克·揚;盧多維克·戈代;羅伯特·簡·維瑟;韋恩·麥克米蘭 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | G02B27/44 | 分類號: | G02B27/44 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓印 傾斜角 光柵 方法 | ||
1.一種波導結構制造方法,包含以下步驟:
將印模壓印至設置在基板的表面上的納米壓印抗蝕劑,所述印模包含:
多個逆光柵,具有:
相對于所述印模的背側表面的第一平面的逆向前角,所述逆向前角為45°或更大;
相對于所述第一平面的逆向后角,所述逆向后角為45°或更大;及
第一尺寸;
使所述納米壓印抗蝕劑經受固化處理;
使用脫模方法從所述納米壓印抗蝕劑以脫模角θ脫模所述印模;以及
使所述納米壓印抗蝕劑經受退火處理,以形成波導結構,所述波導結構包含:
多個光柵,具有:
相對于所述基板的所述表面的第二平面的前角,所述前角小于45°;
相對于所述第二平面的后角,所述后角小于45°;及
第三尺寸。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述固化處理包含:將所述納米壓印抗蝕劑暴露至電磁輻射,直到所述納米壓印抗蝕劑達到脫模狀態。
3.如權利要求2所述的方法,其中所述印模被涂布有具有防粘(anti-stick)表面處理的單層,從而通過以脫模角θ’剝離而將所述印模被移除。
4.如權利要求3所述的方法,其中以所述脫模角θ’從所述納米壓印抗蝕劑剝離所述印模的所述脫模方法形成多個過渡光柵,所述多個過渡光柵具有:
相對于所述基板的所述表面的所述第二平面的過渡前角α’;
相對于所述第二平面的過渡后角β’;及
多個第二尺寸。
5.如權利要求2所述的方法,其中所述印模包含剛性背襯片層,以向所述印模增加機械強度,從而以脫模角θ”脫模所述印模。
6.如權利要求5所述的方法,其中以所述脫模角θ”從所述納米壓印抗蝕劑提起所述印模的所述脫模方法形成多個過渡光柵,所述多個過渡光柵具有:
相對于所述基板的所述表面的所述第二平面的過渡前角α”;
相對于所述第二平面的過渡后角β”;及
多個第二尺寸。
7.如權利要求2所述的方法,其中當所述納米壓印抗蝕劑達到30℃至80℃的固化溫度時,所述納米壓印抗蝕劑處于所述脫模狀態。
8.如權利要求1所述的方法,其中所述納米壓印抗蝕劑包含旋涂式玻璃(SOG)、有機納米可壓印材料、無機納米可壓印材料、及混合(有機及無機)納米可壓印材料中的至少一者。
9.如權利要求1所述的方法,其中所述納米壓印抗蝕劑包含流動式SOG。
10.如權利要求8或9所述的方法,其中所述納米可壓印材料包含以下項中的至少一者:含碳氧化硅(SiOC)的材料、含二氧化鈦(TiO2)的材料、含二氧化硅(SiO2)的材料、含氧化釩(IV)(VOx)的材料、含氧化鋁(Al2O3)的材料、含銦錫氧化物(ITO)的材料、含氧化鋅(ZnO)的材料、含五氧化二鉭(Ta2O5)的材料、含氮化硅(Si3N4)的材料、含氮化鈦(TiN)的材料、及含二氧化鋯(ZrO2)的材料。
11.如權利要求10所述的方法,其中所述納米壓印抗蝕劑包括溶膠-凝膠溶液。
12.如權利要求1所述的方法,其中所述退火處理包含:將所述納米壓印抗蝕劑暴露至電磁輻射,直到所述納米壓印抗蝕劑達到退火狀態。
13.如權利要求12所述的方法,其中當所述納米壓印抗蝕劑達到150℃至250℃的退火溫度時,所述納米壓印抗蝕劑處于所述退火狀態。
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