[發明專利]肖特基勢壘二極管

在審

• 申請號: 201980024311.2
• 申請日: 2019-03-11
• 公開（公告）號: CN112005384A
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 有馬潤;藤田實;平林潤;佐佐木公平
• 申請（專利權）人: TDK株式會社;株式會社田村制作所;諾維晶科股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/41;H01L29/47
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;黃浩

1.一種肖特基勢壘二極管，其特征在于，具備：

半導體基板，其由氧化鎵構成；

漂移層，其設置于所述半導體基板上并由氧化鎵構成；

陽極電極，其與所述漂移層肖特基接觸；

陰極電極，其與所述半導體基板歐姆接觸，

所述漂移層具有在俯視時包圍所述陽極電極的外周溝道，

所述外周溝道利用所述漂移層的逆導電型的半導體材料而埋入。

2.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，

所述漂移層還具有多個中心溝道，其設置于在俯視時與所述陽極電極重疊的位置。

3.根據權利要求2所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，

所述多個中心溝道的內壁被絕緣膜覆蓋。

4.根據權利要求2或3所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，

還具備絕緣層，該絕緣層設置于所述漂移層上，并具有使所述漂移層的一部分露出的開口部，

所述陽極電極經由所述開口部與所述漂移層肖特基接觸，并且形成于位于所述開口部的周緣的所述絕緣層上。

5.根據權利要求2～4中任一項所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，

所述外周溝道的寬度比所述中心溝道的寬度寬。

6.根據權利要求2～5中任一項所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，

所述外周溝道和距所述外周溝道最近的所述中心溝道之間的臺面寬度比所述多個中心溝道間的臺面寬度小。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，

所述逆導電型的半導體材料為氧化物半導體。