[發(fā)明專利]用于傾斜正交晶介質(zhì)的波場傳播子在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980023605.3 | 申請日： | 2019-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN111936888A | 公開（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 宋曉磊 | 申請（專利權(quán)）人： | BP北美公司 |
| 主分類號： | G01V1/30 | 分類號： | G01V1/30 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 李蘭;孫志湧 |
| 地址： | 美國德*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 傾斜 正交 介質(zhì) 傳播 | ||
1.一種系統(tǒng)，包括：
處理器，其中，所述處理器被配置成：
接收烴儲層的儲層數(shù)據(jù)；
接收與波場傳播子的選擇相關(guān)的指示；
利用傅立葉有限變換和有限差分應(yīng)用所述波場傳播子，以對與傾斜正交晶介質(zhì)相關(guān)聯(lián)的波場建模，所述傾斜正交晶介質(zhì)表示包括所述烴儲層的地下區(qū)域；以及
結(jié)合所述波場傳播子處理所述儲層數(shù)據(jù)，以生成用于在包括所述烴儲層并且含有結(jié)構(gòu)或地層特征的地下區(qū)域上方的地震勘探的輸出，所述結(jié)構(gòu)或地層特征有助于烴的呈現(xiàn)、偏移或累積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述處理器被配置成至少部分地通過執(zhí)行與所述波場傳播子相關(guān)聯(lián)的壓力屬性到變換后壓力屬性的初始變換，對與所述傾斜正交晶介質(zhì)相關(guān)聯(lián)的所述波場建模，所述傾斜正交晶介質(zhì)表示包括所述烴儲層的所述地下區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述處理器被配置成將快速傅立葉變換應(yīng)用于所述壓力屬性，以執(zhí)行與所述波場傳播子相關(guān)聯(lián)的所述壓力屬性的所述初始變換。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述處理器被配置成至少部分地通過產(chǎn)生所述變換后壓力屬性與傳播速度值的積以生成第一值，對與所述傾斜正交晶介質(zhì)相關(guān)聯(lián)的所述波場建模，所述傾斜正交晶介質(zhì)表示包括所述烴儲層的所述地下區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中，所述處理器被配置成至少部分地通過執(zhí)行所述第一值到變換后第一值的變換，對與所述傾斜正交晶介質(zhì)相關(guān)聯(lián)的所述波場建模，所述傾斜正交晶介質(zhì)表示至少部分地包括所述烴儲層的所述地下區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中，所述處理器被配置成將逆快速傅立葉變換應(yīng)用于所述第一值，以執(zhí)行所述第一值的所述變換。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中，所述處理器被配置成至少部分地通過利用預(yù)定系數(shù)將有限差分運算應(yīng)用于所述變換后第一值以生成第二值，對與所述傾斜正交晶介質(zhì)相關(guān)聯(lián)的所述波場建模，所述傾斜正交晶介質(zhì)表示包括所述烴儲層的所述地下區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中，所述處理器被配置成至少部分地通過執(zhí)行所述第二值到變換后第二值的變換，對與所述傾斜正交晶介質(zhì)相關(guān)聯(lián)的所述波場建模，所述傾斜正交晶介質(zhì)表示包括所述烴儲層的所述地下區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，所述處理器被配置成將快速傅立葉變換應(yīng)用于所述第二值，以執(zhí)行所述第二值的所述變換。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，所述處理器被配置成至少部分地通過將波數(shù)域中的校正項應(yīng)用于所述變換后第二值以生成修改后第二值，對與所述傾斜正交晶介質(zhì)相關(guān)聯(lián)的所述波場建模，所述傾斜正交晶介質(zhì)表示包括所述烴儲層的所述地下區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，所述處理器被配置成至少部分地通過執(zhí)行所述修改后第二值到第三值的變換，對與所述傾斜正交晶介質(zhì)相關(guān)聯(lián)的所述波場建模，所述傾斜正交晶介質(zhì)表示包括所述烴儲層的所述地下區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，所述處理器被配置成至少部分地通過將所述波數(shù)域中的校正項應(yīng)用于所述第二值以生成第二修改后第二值，對與所述傾斜正交晶介質(zhì)相關(guān)聯(lián)的所述波場建模，所述傾斜正交晶介質(zhì)表示包括所述烴儲層的所述地下區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中，所述處理器被配置成至少部分地通過執(zhí)行所述第二修改后第二值到第四值的變換，對與所述傾斜正交晶介質(zhì)相關(guān)聯(lián)的所述波場建模，所述傾斜正交晶介質(zhì)表示包括所述烴儲層的所述地下區(qū)域。
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