[發(fā)明專利]具有用于高色純度顯示屏的發(fā)光波長(zhǎng)及小的半值寬度的紅色發(fā)光量子點(diǎn)及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980023294.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-03-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111971367B | 公開（公告）日： | 2023-04-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李鐘洙;R·帕提班 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 大邱慶北科學(xué)技術(shù)院 |
| 主分類號(hào)： | C09K11/88 | 分類號(hào)： | C09K11/88;C09K11/56;C09K11/62;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘海勝;金鮮英 |
| 地址： | 韓國(guó)大邱市達(dá)城*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 用于 純度 顯示屏 發(fā)光 波長(zhǎng) 寬度 紅色 量子 及其 制備 方法 | ||
1.一種量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，
包括：
準(zhǔn)備包含InX類量子點(diǎn)種子的混合物的步驟；
向所述混合物連續(xù)注入Zn（In）X類團(tuán)簇形成InX類核的步驟；
向所述混合物放入硒化合物及鋅前體，形成涂敷于所述InX類核的第一殼的步驟；以及
向所述混合物放入硫化合物及所述鋅前體，形成涂敷于所述第一殼的第二殼的步驟，
其中，所述InX類核包括核中的In、Zn和P以及所述核的表面的Zn層；
所述第一殼由ZnSe形成，所述第二殼由ZnS形成，所述X包含磷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述InX類量子點(diǎn)種子通過混合銦前體、酸以及三甲基硅烷基前體形成InX納米粒子。
3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述?Zn（In）X類團(tuán)簇通過混合銦前體、酸、鋅前體以及三甲基硅烷基前體形成使In以及Zn結(jié)晶結(jié)合的超結(jié)晶狀態(tài)的集合體。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述銦前體包含醋酸銦、乙酰丙酮銦、InSb或InAs。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述酸是羧酸配體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述羧酸配體包含軟脂酸、硬脂酸、肉豆蔻酸或油酸。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述三甲基硅烷基前體包含三（三甲基硅烷基）膦。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述InX類量子點(diǎn)種子包含InP。
9.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述?Zn（In）X類團(tuán)簇以0.05mmol／h至0.3mmol／h的速度在200℃以上的溫度下連續(xù)注入。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述核的大小為1.9nm至4.5nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述核的大小為3.5nm至4.5nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述硒化合物包含三正辛基膦硒。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述鋅前體包含選自醋酸鋅、乙酰丙酮鋅、硬脂酸鋅以及油酸鋅中的一種以上。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述硫化合物包含十二硫醇。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述第一殼及所述第二殼通過執(zhí)行連續(xù)離子層吸附反應(yīng)法形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述連續(xù)離子層吸附反應(yīng)法在200℃至400℃的溫度下進(jìn)行。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述量子點(diǎn)的大小為1.9nm至6nm。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述量子點(diǎn)的大小為3.7nm至6nm。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，所述量子點(diǎn)在380nm至750nm發(fā)光波長(zhǎng)內(nèi)發(fā)光。
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