[發明專利]在玻璃基材上形成薄膜晶體管的方法以及由此形成的液晶顯示器

在審

• 申請號: 201980023272.4
• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN111937150A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: M-H·黃;R·B·李;R·瓦迪;朱斌
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L29/786;H01L21/02;H01L21/3213;H01L21/768
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張璐;樂洪詠

1.一種薄膜晶體管液晶顯示器，其包括在上方的液晶顯示層與下方的玻璃基材之間劃界的多個圖像像素，其中，每個圖像像素包括設置在玻璃基材上方的專用頂柵薄膜晶體管，并且每個頂柵薄膜晶體管包括：

設置在玻璃基材上方的工藝敏感性半導體層；

設置在工藝敏感性半導體層上方的源電極和漏電極，其中，所述工藝敏感性半導體層在源電極與漏電極之間形成工藝敏感性半導體有源層；

設置在工藝敏感性半導體有源層上方的有源層保護膜；

設置在源電極與漏電極之間的有源層保護膜上方的柵極電介質層，其中，有源層保護膜被夾在工藝敏感性半導體有源層與柵極電介質層之間；以及

設置在柵極電介質層上方的柵電極。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其中，工藝敏感性半導體層由過渡金屬二硫屬化物(TMD)半導體材料和有機半導體材料中的至少一種形成。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其中，工藝敏感性半導體有源層是由選自MoS₂、WS₂和WSe₂中的至少一種的過渡金屬二硫屬化物(TMD)半導體材料形成的2D半導體有源層。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其中，工藝敏感性半導體有源層由有機半導體材料形成，所述有機半導體材料包括苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)、并五苯、咔唑化合物、酞菁和e-聚(偏二氟乙烯-六氟丙烯)(e-PVDF-HFP)中的至少一種。

5.如權利要求1-4中任一項所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其中，有源層保護膜包括SiNx、SiO₂、Al₂O₃、HfO₂或其組合。

6.如權利要求1-4中任一項所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其中，有源層保護膜包括厚度在約5nm至約20nm之間的Al₂O₃膜。

7.如權利要求1-6中任一項所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其中，柵極電介質層包括SiNx、SiO₂、Al₂O₃、HfO₂、聚酰亞胺化合物和聚(并四噻吩-二酮基吡咯并吡咯)(PTDPPTFT4)中的至少一種。

8.如權利要求1-7中任一項所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其中，源電極和漏電極包括Ti、Cu、Al和Mo。

9.一種用于液晶顯示器的面板，其包括：

玻璃基材和設置在玻璃基材上方的多個頂柵薄膜晶體管，其中，所述多個頂柵薄膜晶體管中的每一者包括：

設置在玻璃基材上方的工藝敏感性半導體層；

設置在工藝敏感性半導體層上方的源電極和漏電極，其中，所述工藝敏感性半導體層在源電極與漏電極之間形成工藝敏感性半導體有源層；

設置在工藝敏感性半導體有源層上方的有源層保護膜；

設置在源電極與漏電極之間的有源層保護膜上方的柵極電介質層，其中，有源層保護膜被夾在工藝敏感性半導體有源層與柵極電介質層之間；以及

設置在柵極電介質層上方的柵電極。

10.如權利要求9所述的面板，其中，工藝敏感性半導體有源層由過渡金屬二硫屬化物(TMD)半導體材料和有機半導體材料中的至少一種形成。

11.如權利要求9所述的面板，其中，工藝敏感性半導體有源層是由過渡金屬二硫屬化物(TMD)半導體材料形成的2D半導體有源層，所述過渡金屬二硫屬化物(TMD)半導體材料包括MoS₂、WS₂和WSe₂中的至少一種。