[發(fā)明專利]制造用于射頻濾波器的襯底的工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980023115.3 | 申請日： | 2019-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN111919282A | 公開（公告）日： | 2020-11-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | D·貝拉什米;T·巴爾熱 | 申請（專利權(quán)）人： | SOITEC公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L41/313;H03H1/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 用于 射頻 濾波器 襯底 工藝 | ||
1.一種制造用于射頻濾波器的襯底的工藝，其通過經(jīng)由電絕緣層(300)將壓電層(200、200')接合至載體襯底(100)來制造用于射頻濾波器的襯底，其特征在于，所述工藝包括以下步驟：通過在壓電層(200、200')的待接合至載體襯底(100)的表面上旋涂屬于SOG(旋涂玻璃)族的氧化物來沉積電絕緣層(300)，然后在接合之前進(jìn)行退火以致密化所述電絕緣層。
2.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的工藝，其中，所述壓電層(200、200')的厚度大于5μm，優(yōu)選大于10μm。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的工藝，其中，所述壓電層(200、200')的待接合至載體襯底(100)的表面具有適于反射射頻波的粗糙表面。
4.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的工藝，其中，所述壓電層(200、200')的粗糙表面的粗糙度大于1μm，優(yōu)選大于3μm。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的工藝，其中，所述載體襯底(100)由硅材料制成。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的工藝，其中，由硅材料制成的載體襯底(100)包括朝向與壓電層(200、200')接合的界面的捕獲層(400)。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的工藝，其中，所述壓電層(200、200')由鈮酸鋰或鉭酸鋰制成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
