[發(fā)明專利]產(chǎn)生清洗液體的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980021229.4
• 申請(qǐng)日: 2019-03-26
• 公開（公告）號(hào): CN111918842A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安吉拉·赫克;王洪志;岡瑟·扎爾扎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): C02F1/461
• 分類號(hào): C02F1/461
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠;邱曉敏

1.一種在電化學(xué)池中產(chǎn)生水性清洗液體的方法，所述電化學(xué)池具有帶有陽(yáng)極的陽(yáng)極室和帶有陰極的陰極室，所述陽(yáng)極室和所述陰極室通過(guò)陽(yáng)離子選擇性膜隔開，其中所述方法包括下列步驟：

a.將水性陽(yáng)極室原料送入所述陽(yáng)極室中；

b.穿過(guò)所述陰極室送入包括至少一種電解質(zhì)的水性陰極室原料；以及

c.對(duì)所述陽(yáng)極和所述陰極施加電壓，以在所述陰極室中形成清洗液體；

且其中步驟a、b及c至少部分地同時(shí)執(zhí)行。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述水性陰極室原料包括作為電解質(zhì)的氨。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述水性陽(yáng)極室原料基本上由水組成，且所述水性陰極室原料基本上由氨水溶液組成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述陰極室原料具有在7.5至10.5的范圍內(nèi)的pH值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述陰極室原料中的總電解質(zhì)濃度在30微摩爾至3毫摩爾的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中在所述陽(yáng)極室中的所述陽(yáng)極室原料的流速在0.5至10升/分鐘的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其中在所述陰極室中的所述陰極室原料的流速在3至100升/分鐘的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中從所述步驟c得到的陽(yáng)極室輸出液體被再循環(huán)作為所述陽(yáng)極室原料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其中在所述陰極室中的電解水的氧化-還原電位為-550mV或更負(fù)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法，其還包括利用在所述步驟c中產(chǎn)生的來(lái)自所述陰極室的所述清洗液體清洗旋轉(zhuǎn)中的半導(dǎo)體晶片的步驟。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述化學(xué)池為設(shè)備的一部分，所述設(shè)備包括：

a.pH計(jì)，其用于測(cè)量所述水性陰極室原料的所述pH；

b.氧化-還原電位(ORP)傳感器，其用于測(cè)量所述清洗液體的ORP；以及

c.液體流量計(jì)，其用于控制所述水性陰極室原料和所述水性陽(yáng)極室原料的所述流速；

d.控制器，其與所述pH計(jì)、所述ORP傳感器以及所述液體流量計(jì)通信，

并且其中所述控制器響應(yīng)于來(lái)自所述pH計(jì)和/或所述ORP傳感器的數(shù)據(jù)，調(diào)節(jié)穿過(guò)所述液體流量計(jì)的所述流速和/或所述設(shè)備的其他參數(shù)。

12.一種用于產(chǎn)生水性清洗液體的設(shè)備，所述設(shè)備包括具有陽(yáng)極室和陰極室的電化學(xué)池，所述陽(yáng)極在陽(yáng)極室內(nèi)，所述陰極在陰極室內(nèi)，所述陽(yáng)極室和所述陰極室通過(guò)陽(yáng)離子選擇性膜隔開，其中所述陽(yáng)極室包括用于接收陽(yáng)極室原料的陽(yáng)極室入口，所述陰極室包括用于接收陰極室原料的陰極室原料入口，所述水性陰極室原料包括水和至少一種電解質(zhì)，且其中所述設(shè)備還包括與所述陽(yáng)極室入口流體連通的陽(yáng)極室原料源以提供所述水性陽(yáng)極室原料至所述陽(yáng)極室，以及與所述陰極室入口流體連通的陰極室原料源以提供所述水性陰極室原料至所述陰極室。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備還包括與所述陰極室的的陰極室出口流體連通的晶片清洗室，所述晶片清洗室用于接收在所述陰極室中產(chǎn)生的清洗液體并且以所述清洗液體清洗半導(dǎo)體晶片。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備還包括與所述陰極室出口流體連通的清洗液體儲(chǔ)存槽，以用于所述清洗液體的中間儲(chǔ)存。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述清洗液體儲(chǔ)存槽包括清洗液體儲(chǔ)存槽排放口以排放過(guò)量氣體。