[發明專利]定影構件、定影裝置和電子照相圖像形成設備有效
| 申請號: | 201980020726.2 | 申請日: | 2019-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN111936939B | 公開(公告)日: | 2022-08-16 |
| 發明(設計)人: | 宮內陽平;能登屋康晴;吉村公博 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | G03G15/20 | 分類號: | G03G15/20;B32B27/30;F16C13/00 |
| 代理公司: | 北京魏啟學律師事務所 11398 | 代理人: | 魏啟學 |
| 地址: | 日本東京都大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 定影 構件 裝置 電子 照相 圖像 形成 設備 | ||
1.一種電子照相用定影構件,其包括:
基層;和直接地或者經由底漆層設置在所述基層的外表面上的表面層,所述底漆層介于所述基層與所述表面層之間,
其特征在于,所述表面層由單一的層構成,
所述表面層包含氟樹脂和具有全氟聚醚結構的氟油,并且
所述定影構件滿足要求(i)和要求(ii):
(i)對于取自所述定影構件并且包括所述表面層的整個厚度部分的測量樣品,當進行包括清潔作為面向所述基層的一側的相對側的第一表面的預定位置和將石英晶體微量天平QCM傳感器的檢測面在0.4MPa的壓力和180℃的溫度下壓在所述位置上50毫秒的處理時,附著在所述檢測面的1cm2單位面積中的、包含所述具有全氟聚醚結構的氟油的附著物的質量P11為1.0×102ng以上且1.0×104ng以下;和
(ii)對于進行了所述要求(i)中規定的處理的所述測量樣品,當進行包括在清潔所述位置之后將所述測量樣品置于溫度為180℃的環境中120sec、然后將所述石英晶體微量天平QCM傳感器的檢測面在0.4MPa的壓力和180℃的溫度下壓在所述位置上50毫秒的處理時,附著在所述檢測面的1cm2單位面積中的、包含所述具有全氟聚醚結構的氟油的附著物的質量P12為0.5×P11以上且1.2×P11以下。
2.一種電子照相用定影構件,其包括:
基層;和直接地或者經由底漆層設置在所述基層的外表面上的表面層,所述底漆層介于所述基層與所述表面層之間,
其特征在于,所述表面層由單一的層構成,
所述表面層包含氟樹脂和具有全氟聚醚結構的氟油,
對于取自所述定影構件并且包括所述表面層的整個厚度部分的測量樣品,當將石英晶體微量天平QCM傳感器的檢測面在0.4MPa的壓力和180℃的溫度下壓在作為面向所述基層的一側的相對側的第一表面上50毫秒,將附著在所述檢測面的1cm2單位面積中的、包含所述具有全氟聚醚結構的氟油的附著物的質量規定為P11時,并且
當將所述石英晶體微量天平QCM傳感器的所述檢測面在0.4MPa的壓力和180℃的溫度下壓在作為面向所述測量樣品的所述基層的一側的第二表面上50毫秒,將附著在所述檢測面的1cm2單位面積中的、包含所述具有全氟聚醚結構的氟油的附著物的質量規定為P21時,
P21P11
其中P11和P21的單位為ng。
3.根據權利要求1或2所述的定影構件,其中所述表面層中的所述具有全氟聚醚結構的氟油的含量為所述表面層的1.0質量%以上且25質量%以下。
4.根據權利要求1或2所述的定影構件,其中P11為1.0×102ng以上且5.0×103ng以下。
5.根據權利要求1或2所述的定影構件,其中所述氟樹脂為四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物PFA。
6.根據權利要求1或2所述的定影構件,其中所述表面層的厚度為5.0μm以上且50μm以下。
7.根據權利要求1或2所述的定影構件,其中所述氟油為全氟聚醚。
8.根據權利要求7所述的定影構件,其中所述全氟聚醚具有由結構式(1)表示的化學結構:
在結構式(1)中,a、b、c、d、e和f各自獨立地為0或正整數,1≤a+b+c+d+e+f≤600,并且a、b、c或d中的至少一者為正整數。
9.根據權利要求7所述的定影構件,其中所述全氟聚醚具有選自結構式(2)至(4)中的至少一種化學結構:
在結構式(2)至(4)中,m和n各自獨立地表示1以上的整數。
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