[發明專利]基于雙晶體管鰭式場效晶體管的分裂柵極非易失性浮動柵極閃存存儲器及其制造方法

在審

• 申請號: 201980020126.6
• 申請日: 2019-01-23
• 公開（公告）號: CN111868928A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: S·喬爾巴;C·德科貝爾特;Z·馮;J·金;X·劉;N·多
• 申請（專利權）人: 硅存儲技術股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/788;H01L21/28;H01L21/66
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳斌

1.一種非易失性存儲器單元，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底具有上表面，所述上表面具有向上延伸的鰭片，所述向上延伸的鰭片包括彼此相對的第一側表面和第二側表面；

第一電極，所述第一電極與所述鰭片的第一部分電氣接觸；

第二電極，所述第二電極與所述鰭片的第二部分電氣接觸，其中所述鰭片的所述第一部分和所述第二部分彼此間隔開，使得所述鰭片的溝道區包括所述第一側表面和所述第二側表面的部分，并且在所述鰭片的所述第一部分和所述第二部分之間延伸；

浮動柵極，所述浮動柵極沿著所述溝道區的第一部分延伸，其中所述浮動柵極沿著所述第一側表面延伸并且與其絕緣，并且其中所述浮動柵極中沒有一個部分沿著所述第二側表面延伸；

字線柵極，所述字線柵極沿著所述溝道區的第二部分延伸，其中所述字線柵極沿著所述第一側表面和所述第二側表面延伸并且與所述第一側表面和所述第二側表面絕緣；

控制柵極，所述控制柵極設置在所述浮動柵極上方并且與其絕緣；

擦除柵極，所述擦除柵極具有第一部分和第二部分，所述第一部分與所述浮動柵極橫向相鄰設置并且與其絕緣，所述第二部分豎直地設置在所述浮動柵極上方并且與其絕緣。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器單元，其中沒有導電柵極沿著與所述浮動柵極沿其延伸的所述第一側表面的一部分相對的所述第二側表面的一部分設置并且與其絕緣。

3.根據權利要求1所述的非易失性存儲器單元，其中所述字線柵極包括金屬材料，并且其中所述字線柵極通過高K絕緣材料與所述第一側表面和所述第二側表面絕緣。

4.根據權利要求3所述的非易失性存儲器單元，其中所述浮動柵極、所述控制柵極和所述擦除柵極各自包括多晶硅材料。

5.根據權利要求4所述的非易失性存儲器單元，其中所述第一電極和所述第二電極各自包括金屬材料。

6.根據權利要求1所述的非易失性存儲器單元，其中所述襯底的所述上表面包括向上延伸的第二鰭片，所述向上延伸的第二鰭片包括彼此相對的第三側表面和第四側表面，并且其中所述浮動柵極的至少一部分被設置在所述鰭片與所述第二鰭片之間。

7.根據權利要求1所述的非易失性存儲器單元，其中所述控制柵極和所述擦除柵極各自豎直地設置在所述鰭片上方。

8.根據權利要求1所述的非易失性存儲器單元，其中所述鰭片的所述第一部分和所述第二部分各自具有大于所述鰭片的所述溝道區的寬度的寬度。

9.根據權利要求1所述的非易失性存儲器單元，其中所述鰭片的所述第一部分和所述第二部分各自具有大于所述鰭片的所述溝道區的高度的高度。

10.根據權利要求1所述的非易失性存儲器單元，其中所述第一電極沿著所述鰭片的所述第一部分的所述第一側表面和所述第二側表面延伸，并且其中所述第二電極沿著所述鰭片的所述第二部分的所述第一側表面和所述第二側表面延伸。

11.根據權利要求1所述的非易失性存儲器單元，其中所述浮動柵極具有矩形豎直橫截面。

12.根據權利要求1所述的非易失性存儲器單元，其中所述浮動柵極具有U形豎直橫截面。

13.根據權利要求12所述的非易失性存儲器單元，其中所述控制柵極包括延伸到所述浮動柵極的所述U形豎直橫截面中的下部部分。