[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980019782.4
• 申請日: 2019-03-12
• 公開（公告）號: CN111868899A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 肥塚純一;中澤安孝
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;G09F9/30;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/786
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體層；

第一絕緣層；

第二絕緣層；以及

導(dǎo)電層，

其中，所述第一絕緣層與所述半導(dǎo)體層的頂面的一部分接觸，

所述導(dǎo)電層位于所述第一絕緣層上，

所述第二絕緣層位于所述半導(dǎo)體層上，

所述半導(dǎo)體層包含金屬氧化物，

所述半導(dǎo)體層包括與所述導(dǎo)電層重疊的第一區(qū)域及不與所述導(dǎo)電層重疊的第二區(qū)域，

所述第二區(qū)域與所述第二絕緣層接觸，

所述第二絕緣層包含氧及第一元素，

所述第一元素是磷和硼中的任一個以上，

并且，在所述第二絕緣層的厚度方向上，所述第一元素的濃度中的相對于最小值的最大值的比例為1.0以上且10.0以下。

2.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體層；

第一絕緣層；

第二絕緣層；以及

導(dǎo)電層，

其中，所述第一絕緣層與所述半導(dǎo)體層的頂面及側(cè)面接觸，

所述導(dǎo)電層位于所述第一絕緣層上，

所述第二絕緣層位于所述半導(dǎo)體層上，

所述半導(dǎo)體層包含金屬氧化物，

所述半導(dǎo)體層包括與所述導(dǎo)電層重疊的第一區(qū)域及不與所述導(dǎo)電層重疊的第二區(qū)域，

所述第一絕緣層包括與所述導(dǎo)電層重疊的第三區(qū)域及不與所述導(dǎo)電層重疊的第四區(qū)域，

所述第四區(qū)域與所述第二絕緣層接觸，

所述第二絕緣層包含氧及第一元素，

所述第一元素是磷和硼中的任一個以上，

并且，在所述第二絕緣層的厚度方向上，所述第一元素的濃度中的相對于最小值的最大值的比例為1.0以上且10.0以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述第四區(qū)域包含所述第一元素。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第四區(qū)域的厚度薄于所述第三區(qū)域的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求4中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述第二絕緣層包括所述第一元素的濃度為1×10²⁰atoms/cm³以上且1×10²²atoms/cm³以下的區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求5中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，

其中在X射線光電子能譜分析中，觀察到所述第二絕緣層的起因于第一元素和氧的鍵合的峰。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求6中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述第二區(qū)域包含所述第一元素。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求7中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述第二區(qū)域包括所述第一元素的濃度為1×10²⁰atoms/cm³以上且1×10²²atoms/cm³以下的區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求8中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，

其中在X射線光電子能譜分析中，觀察到所述第二區(qū)域的起因于所述第一元素和氧的鍵合的峰。