[發(fā)明專利]電致發(fā)光顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980019195.5 | 申請日： | 2019-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN111869323B | 公開（公告）日： | 2023-07-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 柴野博史;山下達郎;村田浩一;中瀬勝貴;早川章太;佐佐木靖;本鄉(xiāng)有記;西尾正太郎 | 申請（專利權）人： | 東洋紡株式會社 |
| 主分類號： | H05B33/02 | 分類號： | H05B33/02;G02B5/30;G09F9/00;G09F9/30;H10K50/10;H10K59/10;H05B33/14 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電致發(fā)光 顯示裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種電致發(fā)光顯示裝置，其具備：電致發(fā)光元件、和配置于比該電致發(fā)光元件還靠近可視側的圓偏光板，
所述圓偏光板依次具有相位差層、偏振片和基材薄膜，
(1)基材薄膜的快軸方向的折射率ny為1.568以上且1.63以下；
(2)在偏振片與相位差層之間不存在自立性薄膜、或僅存在有1張自立性薄膜，此處偏振片與相位差層之間也包括相位差層本身；和，
(3)偏振片的透光軸與基材薄膜的快軸為大致平行。
2.根據權利要求1所述的電致發(fā)光顯示裝置，其中，所述基材薄膜的面內雙折射ΔNxy為0.06以上且0.2以下。
3.根據權利要求1或2所述的電致發(fā)光顯示裝置，其中，所述基材薄膜的慢軸方向和快軸方向的基于直角形撕裂法的撕裂強度中較小者的值為250N/mm以上。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的電致發(fā)光顯示裝置，其中，所述偏振片的厚度為12μm以下。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的電致發(fā)光顯示裝置，其中，所述偏振片由聚合性液晶化合物和二色性色素形成。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的電致發(fā)光顯示裝置，其中，所述相位差層由液晶化合物形成。
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