[發明專利]用于半導體器件封裝制造工藝的平坦化

在審

• 申請號: 201980019163.5
• 申請日: 2019-02-15
• 公開（公告）號: CN111868920A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 陳翰文;S·文哈弗貝克;R·胡克;K·趙;傅博詣
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;侯穎媖

一種電子器件封裝制造的方法，包括：將平坦化液體分配至從基板突出的相鄰特征之間的區域中。該平坦化液體隨后經處理以在相鄰特征之間的區域中提供硬化、基本上固體的材料。一些示例中，平坦化液體能夠是用在形成多階層重分布層中的介電材料或是用于封裝半導體芯片的封裝樹脂材料。示例的平坦化設備包括基板支撐件、液體分配系統、硬化系統、及平坦元件系統，該液體分配系統配置成將平坦化液體分配至基板上，該硬化系統用于硬化該平坦化液體，該平坦元件系統用于壓入該平坦化液體中。

背景

技術領域

本公開總體上涉及半導體器件封裝制造方法以及用于半導體器件封裝制造的設備。

背景技術

半導體器件的封裝包括各種步驟，其中可光致圖案化(photopatternable)的材料經沉積為地形不平坦的表面上的層。例如，在制造的某些階段中，可光致圖案化的介電材料(諸如，聚酰亞胺材料)用于形成重分布層(RDL)，以用于制作從芯片表面接觸件到球柵陣列(BGA)焊墊的布線連接件。大致上，由于在曝光工藝中可達成的焦深(DOF)有所限制，所以光刻圖案化工藝對地形效應(諸如，圖案化層高度或厚度的差異)敏感。由于無法充分平坦化存在于一些器件中的地形特征，所以僅涉及旋轉涂覆材料的平坦化工藝被認為不適合用于未來器件的預期圖案化及封裝要求。

發明內容

一實施例中，一種電子器件封裝制造的方法包括：將平坦化液體分配至從基板突出的多個相鄰特征之間的區域中；以及處理該平坦化液體而硬化該平坦化液體，以在相鄰特征之間的該區域中形成基本上固體的材料。

另一實施例中，一種電子器件封裝制造的方法包括：將干圖案化膜定位至從基板突出的多個相鄰特征之間的區域中，將平坦元件壓至該基板上的該干圖案化膜上且加熱該干圖案化膜，以形成可流動材料且使可流動材料平坦化；以及處理該可流動材料，以硬化該可流動材料，以在相鄰特征之間的該區域中形成基本上固體的材料。

還有一實施例中，一種平坦化設備包括：基板支撐件，基板能夠放置在該基板支撐件上；液體分配系統，配置成將該平坦化液體分配至從基板突出的相鄰特征之間的區域中；以及硬化系統，用于硬化該平坦化液體，以在相鄰特征之間的該區域中形成基本上固體的材料。

附圖說明

圖1示意性地描繪電子器件封裝制造工藝中存在的平坦化問題。

圖2描繪根據第一示例的平坦化的溝槽填充方法。

圖3描繪根據第二示例的用于在圖案化表面上方構建平坦重分布介電層的多層方法。

圖4描繪根據第三示例的平坦化的溝槽填充方法。

圖5描繪了根據第四示例的平坦化方法。

圖6示意性地示出在高深寬比銅柱的圖案化表面上方的重分布介電層制造工藝中的平坦化工藝。

圖7示意性地示出包括通孔上通孔堆疊(via-on-via stacking)的重分布層制造工藝。

圖8描繪根據第五示例的平坦化的溝槽填充方法。

圖9描繪根據一實施例的平坦化設備。

圖10描繪了根據另一實施例的平坦化設備。

具體實施方式

應理解，前面的一般性描述和以下的詳細描述都僅是示例性的，并且旨在提供用于理解權利要求書的本質和特性的概述或框架。所附附圖被包括以提供進一步的理解，并且該等附圖并入本說明書中且構成本說明書的一部分。該等附圖示出示例實施例，并且連同說明書一起用于解釋各種實施例的原理和操作。