[發(fā)明專(zhuān)利]具有沿導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的介電區(qū)域的集成組件以及形成集成組件的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980018679.8
• 申請(qǐng)日: 2019-02-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111837236A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊廣軍;M·K·阿赫塔爾;S·博爾薩里;A·J·斯赫林斯凱
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/108
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/108;H01L27/02;H01L23/528;H01L23/31
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種形成集成組件的方法，其包括：

形成構(gòu)造以沿著剖面包含導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有頂表面和從所述頂表面向下延伸的一對(duì)相對(duì)的側(cè)壁表面；所述構(gòu)造還包含在所述頂表面上方的絕緣材料，并且包含沿著所述側(cè)壁表面的軌道；所述軌道中的每一個(gè)包括沿著非犧牲材料的面板的犧牲材料；

去除所述犧牲材料以在所述側(cè)壁表面與所述非犧牲材料的所述面板之間留下開(kāi)口；以及

形成密封劑材料以在所述開(kāi)口內(nèi)延伸；所述密封劑材料具有比所述絕緣材料低的介電常數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述密封劑材料完全填充所述開(kāi)口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述密封劑材料僅在所述開(kāi)口的部分內(nèi)，并且其中在所述開(kāi)口內(nèi)的所述密封劑材料的下方保留空隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述絕緣材料包括氮化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述非犧牲材料包括氮化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述犧牲材料包括二氧化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述軌道中的每一個(gè)包括夾在所述非犧牲材料的一對(duì)面板之間的所述犧牲材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述密封劑材料包括二氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述二氧化硅具有小于約3.5的介電常數(shù)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述二氧化硅是多孔的。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述二氧化硅摻雜有碳。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在摻雜碳的二氧化硅內(nèi)的碳的量在約2原子百分比至約20原子百分比的范圍內(nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述絕緣材料的所述氮化硅具有至少約7的介電常數(shù)，并且其中所述密封劑材料包括具有小于約6的介電常數(shù)的氮化硅。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述密封劑材料的所述氮化硅比所述絕緣材料的所述氮化硅更多孔。

15.一種形成集成組件的方法，其包括：

形成構(gòu)造以沿著剖面包含由介入?yún)^(qū)域彼此間隔開(kāi)的一對(duì)數(shù)字線(xiàn)；所述數(shù)字線(xiàn)中的每一個(gè)具有頂表面和從所述頂表面向下延伸的一對(duì)相對(duì)的側(cè)壁表面；所述構(gòu)造包含在所述頂表面上方的第一絕緣材料，并且包含沿著所述側(cè)壁表面的軌道；所述軌道包括夾在一對(duì)面板之間的犧牲材料；所述構(gòu)造包含在所述介入?yún)^(qū)域內(nèi)的導(dǎo)電互連件；

去除所述犧牲材料以在所述面板之間留下開(kāi)口；

形成密封劑材料以在所述開(kāi)口內(nèi)延伸；所述密封劑材料具有比所述第一絕緣材料低的介電常數(shù)；

跨越所述第一絕緣材料、跨越所述密封劑材料并且跨越所述導(dǎo)電互連件形成第二絕緣材料；

去除所述第二絕緣材料的一部分以暴露所述導(dǎo)電互連件的區(qū)域；以及

將所述導(dǎo)電互連件的暴露區(qū)域與電荷存儲(chǔ)裝置耦合。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述密封劑材料完全填充所述開(kāi)口。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述密封劑材料僅在所述開(kāi)口的部分內(nèi)，并且其中在所述開(kāi)口內(nèi)的所述密封劑材料的下方保留空隙。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一絕緣材料包括氮化硅。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第二絕緣材料包括氮化硅。