[發明專利]基于蝕刻殘渣的抑制劑的選擇性處理

在審

• 申請號: 201980018132.8
• 申請日: 2019-01-15
• 公開（公告）號: CN111819659A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 卡希什·沙瑪;特塞翁格·金姆;薩曼莎·坦;丹尼斯·M·豪斯曼
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683;H01L21/67;C23C16/44
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;邱曉敏

1.一種在半導體襯底上進行沉積的方法，該方法包括：

在半導體襯底上選擇性地沉積犧牲材料，所述襯底包括具有多個襯底材料區域的表面，所述多個襯底材料區域對于所述犧牲材料具有不同的選擇性，使得在所述襯底表面的第一區域上發生所述犧牲材料的實質性沉積，而在所述襯底表面的第二區域上沒有發生實質性沉積；

在所述襯底上沉積非犧牲材料，使得在所述第二區域上發生所述非犧牲材料的實質性沉積，并且在所述第一區域上的犧牲材料上沒有發生所述非犧牲材料的實質性沉積；以及

去除所述犧牲材料，使得僅在所述第二區域上實質性發生所述非犧牲材料的凈沉積。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述非犧牲材料的所述沉積的所述選擇性基于所述第一區域的襯底材料和所述第二區域的襯底材料的電特性的差異。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述犧牲材料的沉積通過非共價鍵合發生在所述襯底表面的第一區域上，并且所述非犧牲材料的沉積通過共價鍵合發生在所述襯底表面的所述第二區域上。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述非犧牲材料在所述第二區域上的所述實質性沉積以及所述非犧牲材料在所述襯底的所述第一區域上的所述犧牲材料上的非實質性沉積具有化學基礎。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其中，所述第一區域和所述第二區域分別是電介質和金屬。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其中，所述第一區域和所述第二區域分別是不同的電介質。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述不同的電介質具有不同的介電常數。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第一區域的所述介電常數低于所述第二區域的所述介電常數。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第二區域的介電常數比所述第一區域的介電常數大至少三倍。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一區域的所述電介質是SiO₂或SiN，并且所述第二區域的所述電介質是ZrO₂。

11.根據權利要求1或10所述的方法，其中，所述犧牲材料是碳氟化合物(CF_x)或硼氧化物(BO_xCl_y)。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，所述非犧牲材料是金屬。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述金屬選自由Cu、Al、W、Co和Ti組成的組。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，所述非犧牲材料的沉積是均厚沉積。

15.根據權利要求1所述的方法，其中在周期性回蝕/重置操作期間發生所述犧牲材料的所述選擇性沉積，在所述周期性回蝕/重置操作期間，所產生的蝕刻殘渣為所述選擇性沉積提供所述犧牲材料中的一些或全部。