[發明專利]用于氮化硅的蝕刻組成物與半導體元件的蝕刻方法有效
| 申請號： | 201980018129.6 | 申請日： | 2019-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN111836873B | 公開（公告）日： | 2022-06-07 |
| 發明（設計）人： | 黃基煜;高尚蘭;趙娟振;崔正敏 | 申請（專利權）人： | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號： | C09K13/06 | 分類號： | C09K13/06;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 楊文娟;臧建明 |
| 地址： | 韓國京畿道龍仁市器興區貢稅*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 氮化 蝕刻 組成 半導體 元件 方法 | ||
1.一種用于氮化硅的蝕刻組成物，包含：
60重量％至95重量％的磷酸化合物；
0.0001重量％至10重量％的多元醇；
大于0重量％且10重量％以下的含硅化合物；以及
余量的水，
其中所述磷酸化合物包括選自由正磷酸、偏磷酸、焦磷酸、亞磷酸及連二磷酸組成的群組中的至少一者，
其中所述多元醇包括選自由二元醇、三元醇及糖醇組成的群組中的至少一者，所述糖醇包括選自由乳糖醇、山梨醇、甘露醇、異麥芽糖醇、木糖醇、赤蘚糖醇、核糖醇、阿拉伯糖醇及塔羅糖醇組成的群組中的至少一者，以及
其中所述含硅化合物包括由式1表示的化合物：
其中R1、R2、R3及R4各自獨立為氫、C1至C10烷基、C1至C10烷氧基、C3至C10環烷基或C6至C12芳基，R1、R2、R3及R4中的一者或多者為氫或C1至C10烷氧基。
2.根據權利要求1所述的用于氮化硅的蝕刻組成物，其中所述二元醇包括鄰苯二酚。
3.根據權利要求1所述的用于氮化硅的蝕刻組成物，其中所述含硅化合物包括四乙氧基硅烷。
4.根據權利要求1所述的用于氮化硅的蝕刻組成物，其中所述蝕刻組成物具有為2或小于2的pH。
5.根據權利要求1所述的用于氮化硅的蝕刻組成物，其中所述蝕刻組成物具有為50:1或大于50:1的氮化物層對氧化物層蝕刻選擇比。
6.一種半導體元件的蝕刻方法，包括：利用如權利要求1至5中任一項所述的用于氮化硅的蝕刻組成物來蝕刻氮化硅層。
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