[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、電力變換裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980016986.2 | 申請日: | 2019-02-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111819697A | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 中田和成;田口健介 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L29/78 | 分類號(hào): | H01L29/78;C23C18/16;C23C18/52;H01L21/28;H01L21/288;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/41;H01L29/739;H02M7/48 |
| 代理公司: | 中國貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 李今子 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 電力 變換 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,具備:
第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層(1、2、2Y);
上表面構(gòu)造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z),形成于所述半導(dǎo)體層(1、2、2Y)的至少表層;以及
上表面電極(7、7A、7E、7F、7G、7Y、10、10Y),至少覆蓋所述上表面構(gòu)造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z)地形成,
所述上表面電極(7、7A、7E、7F、7G、7Y、10、10Y)具備:
第1電極(7、7A、7E、7F、7G、7Y),形成于所述半導(dǎo)體層(1、2、2Y)的至少上表面;以及
第2電極(10、10Y),覆蓋所述第1電極(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面地形成,
在所述第1電極(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面形成至少1個(gè)第1凹部(8、8Y),
所述第1凹部(8、8Y)的側(cè)面是錐形形狀,
所述第2電極(10、10Y)覆蓋包括所述第1凹部(8、8Y)內(nèi)的所述第1電極(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面地形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
還具備第2凹部(15),該第2凹部(15)形成于包括所述第1凹部(8、8Y)內(nèi)的所述第1電極(7A、7G)的上表面,并且寬度比所述第1凹部(8、8Y)窄。
3.一種半導(dǎo)體裝置,具備:
第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層(1、2、2Y);
上表面構(gòu)造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z),形成于所述半導(dǎo)體層(1、2、2Y)的至少表層;以及
上表面電極(7A、7G、10、10Y),至少覆蓋所述上表面構(gòu)造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z)地形成,
所述上表面電極(7A、7G、10、10Y)具備:
第1電極(7A、7G),形成于所述半導(dǎo)體層(1、2、2Y)的至少上表面;以及
第2電極(10、10Y),覆蓋所述第1電極(7A、7G)的上表面地形成,
在所述第1電極(7A、7G)的上表面形成至少1個(gè)第1凹部(8、8Y)和寬度比所述第1凹部(8、8Y)窄的至少1個(gè)第2凹部(15),
所述第2電極(10、10Y)覆蓋包括所述第1凹部(8、8Y)和所述第2凹部(15)的所述第1電極(7A、7G)的上表面地形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述第1凹部(8、8Y)的側(cè)面與所述半導(dǎo)體層(1、2、2Y)的上表面之間的角度是5°以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述第1凹部(8、8Y)的側(cè)面與所述半導(dǎo)體層(1、2、2Y)的上表面之間的角度是60°以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述第1凹部(8、8Y)在所述第1電極(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面形成100個(gè)以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述第2凹部(15)形成于所述第1凹部(8、8Y)內(nèi)的斜面。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至7中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述第2凹部(15)針對每1μm2配置1個(gè)以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求2至8中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述第1凹部(8、8Y)的寬度是0.1μm以上,所述第2凹部(15)的寬度小于0.1μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
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