[發明專利]光電轉換元件以及光電轉換元件的制造方法

在審

• 申請號: 201980016348.0
• 申請日: 2019-03-19
• 公開（公告）號: CN112352327A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 大岡青日;中尾英之;藤永賢治
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝能源系統株式會社
• 主分類號: H01L51/44
• 分類號: H01L51/44
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 于麗

1.一種光電轉換元件，具備：

基板；

第1光電轉換部，具備配置于所述基板上的第1基板電極、配置于所述第1基板電極上的第1活性層和配置于所述第1活性層上的第1對置電極；

第2光電轉換部，具備在所述基板上與所述第1基板電極鄰接地配置且與所述第1基板電極分離的第2基板電極、配置于所述第2基板電極上的第2活性層和配置于所述第2活性層上的第2對置電極；以及

連接部，具備從表面貫穿所述第2活性層而使所述第2基板電極的表面從所述第2活性層暴露的槽和由被嵌入所述槽的所述第1對置電極的一部分構成的導電部，該連接部經由所述導電部將所述第1對置電極與所述第2基板電極電連接，

其中，所述第2活性層由組成式：A_αBX_χ表示，A為一價陽離子，B為二價陽離子，X為一價鹵素離子，

所述第2活性層具有：第1化合物層，包含滿足0.95≤α且2.95≤χ的第1化合物；以及第2化合物層，配置于所述第1化合物層與所述第2基板電極之間，包含滿足α＜0.95且χ＜2.95的第2化合物。

2.根據權利要求1所述的光電轉換元件，其中，

所述第2化合物滿足0＜α＜0.95且2＜χ＜2.95。

3.根據權利要求1所述的光電轉換元件，其中，

所述基板包含從由聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、液晶聚合物構成的組中選擇的至少一種有機材料。

4.根據權利要求1所述的光電轉換元件，其中，

所述第2基板電極包含從由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化銦錫、摻氟氧化錫、摻鎵氧化鋅、摻鋁氧化鋅、銦-鋅氧化物及銦-鎵-鋅氧化物構成的組中選擇的至少一種導電性金屬氧化物。

5.根據權利要求1所述的光電轉換元件，其中，

所述第1光電轉換部具備第1中間層，該第1中間層被配置于所述第1活性層與所述第1基板電極之間，

所述第2光電轉換部具備第2中間層，該第2中間層被配置于所述第2活性層與所述第2基板電極之間。

6.一種光電轉換元件的制造方法，具備：

在基板上形成第1基板電極及第2基板電極的工序；

在所述第1基板電極及第2基板電極上分別形成第1活性層及第2活性層的工序；

形成從表面貫穿所述第2活性層而使所述第2基板電極的表面從第2活性層暴露的槽的工序；以及

在所述第1活性層及第2活性層上分別形成第1對置電極及第2對置電極，并且形成由被嵌入所述槽的所述第1對置電極的一部分構成的導電部來將所述第1對置電極與所述第2基板電極電連接的工序，

其中，所述第2活性層由組成式：A_αBX_χ表示，A為一價陽離子，B為二價陽離子，X為一價鹵素離子，

所述第2活性層具有：第1化合物層，包含滿足0.95≤α且2.95≤χ的第1化合物；以及第2化合物層，被配置于所述第1化合物層與所述第2基板電極之間，包含滿足α＜0.95且χ＜2.95的第2化合物。