[發明專利]復合被膜及復合被膜的形成方法有效
| 申請號: | 201980016129.2 | 申請日: | 2019-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN111788328B | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發明(設計)人: | 藤井慎也;森口秀樹 | 申請(專利權)人: | 日本ITF株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/06 | 分類號: | C23C14/06;C23C14/32;C23C16/27 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復合 形成 方法 | ||
1.一種復合被膜,包覆在基材上,所述復合被膜的特征在于,
在下層形成有氫含量不足5at%、且膜厚為200nm~1000nm的硬質碳膜A,
在上層形成有氫含量為5at%~30at%、膜厚為210nm~5000nm、且楊氏模量大于200GPa的硬質碳膜B,
所述硬質碳膜A與所述硬質碳膜B直接層疊,
所述硬質碳膜A是將π/σ強度比不同的多個硬質碳層層疊而構成,
位于最上層的所述硬質碳層的π/σ強度比小于比所述位于最上層的硬質碳層位于下層的硬質碳層整體的π/σ強度比,
關于所述硬質碳膜B,
在通過明視場透射型電子顯微鏡像來觀察剖面時,具有相對白的白色硬質碳層與相對黑的黑色硬質碳層,
所述白色硬質碳層與所述黑色硬質碳層以納米級交替層疊。
2.根據權利要求1所述的復合被膜,其特征在于,所述硬質碳膜A的氫含量不足1at%。
3.根據權利要求1或2所述的復合被膜,其特征在于,
在所述基材與所述硬質碳膜A之間包括Cr、W或Ti的金屬中間層,
所述金屬中間層的膜厚為30nm~500nm。
4.根據權利要求1或2所述的復合被膜,其特征在于,所述白色硬質碳層及所述黑色硬質碳層的每一層的厚度為0.1nm~10nm。
5.一種復合被膜的形成方法,其特征在于,包括:
硬質碳膜A形成工序,直接或隔著金屬中間層在基材上形成氫含量不足5at%、且膜厚為200nm~1000nm的硬質碳膜A;以及
硬質碳膜B形成工序,在所述硬質碳膜A上直接形成氫含量為5at%~30at%、膜厚為210nm~5000nm、且楊氏模量大于200GPa的硬質碳膜B,
所述硬質碳膜A形成工序是通過電弧蒸鍍法來進行形成的工序,所述硬質碳膜B形成工序是一邊導入烴系氣體或氫氣一邊通過電弧蒸鍍法來進行形成的工序,
所述硬質碳膜A是將π/σ強度比不同的多個硬質碳層層疊而構成,
位于最上層的所述硬質碳層的π/σ強度比小于比所述位于最上層的硬質碳層位于下層的硬質碳層整體的π/σ強度比,
關于所述硬質碳膜B,
在通過明視場透射型電子顯微鏡像來觀察剖面時,具有相對白的白色硬質碳層與相對黑的黑色硬質碳層,
所述白色硬質碳層與所述黑色硬質碳層以納米級交替層疊。
6.根據權利要求5所述的復合被膜的形成方法,其特征在于,在所述硬質碳膜B形成工序中,一邊使形成有所述硬質碳膜A的所述基材旋轉,一邊形成所述硬質碳膜B。
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