[發明專利]光纖

有效

• 申請號: 201980016104.2
• 申請日: 2019-02-26
• 公開（公告）號: CN111788506B
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 鈴木雅人;川口雄揮;山本義典;長谷川健美
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;龍濤峰

1.一種光纖，包括：

芯部；

內包層，其包圍所述芯部，所述內包層的折射率小于所述芯部的折射率；以及

外包層，其包圍所述內包層，所述外包層的折射率小于所述芯部的折射率且大于所述內包層的折射率，

其中，在1625nm波長下彎曲半徑為10mm時的焦散半徑與MAC值之比為2.70μm以上。

2.根據權利要求1所述的光纖，在1310nm波長下，模場直徑為8.2μm以上且9.9μm以下。

3.根據權利要求1所述的光纖，

其中，所述內包層的外半徑b為15.5μm以上且22.5μm以下，

從所述內包層的平均相對折射率差中減去所述外包層的最大相對折射率差所得的值Δ_dep為-0.11％以上且-0.03％以下，并且

所述MAC值為6.26以上且7.56以下。

4.根據權利要求1所述的光纖，

其中，所述內包層的外半徑b為18.0μm以上且22.0μm以下，

從所述內包層的平均相對折射率差中減去所述外包層的最大相對折射率差所得的值Δ_dep為-0.09％以上且-0.04％以下，并且

所述MAC值為6.30以上且7.25以下。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的光纖，具有：

1260nm以下的光纜截止波長；以及

1300nm以上且1324nm以下的零色散波長。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的光纖，

其中，所述芯部具有7.3μm以上且9.0μm以下的直徑，并且

從所述芯部的平均相對折射率差中減去所述外包層的最大相對折射率差所得的值Δ_core為0.32％以上且0.40％以下。

7.根據權利要求5所述的光纖，

其中，所述芯部具有7.3μm以上且9.0μm以下的直徑，并且

從所述芯部的平均相對折射率差中減去所述外包層的最大相對折射率差所得的值Δ_core為0.32％以上且0.40％以下。

8.根據權利要求1至4中任一項所述的光纖，

在所述內包層中或在所述內包層和所述外包層之間的過渡部分中包括這樣的位置：該位置與所述芯部的中心相距在1625nm波長下彎曲半徑為15mm時的焦散半徑。

9.根據權利要求5所述的光纖，

在所述內包層中或在所述內包層和所述外包層之間的過渡部分中包括這樣的位置：該位置與所述芯部的中心相距在1625nm波長下彎曲半徑為15mm時的焦散半徑。

10.根據權利要求1至4中任一項所述的光纖，

在除了所述內包層和所述外包層之間的過渡部分以外的所述外包層中包括這樣的位置：該位置與所述芯部的中心相距在1625nm波長下彎曲半徑為15mm時的焦散半徑，

其中，在由所述焦散半徑限定的所述位置處由距離和折射率之間的關系限定的折射率分布具有負斜率，所述距離被限定為沿著從所述芯部的所述中心朝向所述外包層的外周表面的方向的距離。

11.根據權利要求5所述的光纖，

在除了所述內包層和所述外包層之間的過渡部分以外的所述外包層中包括這樣的位置：該位置與所述芯部的中心相距在1625nm波長下彎曲半徑為15mm時的焦散半徑，

其中，在由所述焦散半徑限定的所述位置處由距離和折射率之間的關系限定的折射率分布具有負斜率，所述距離被限定為沿著從所述芯部的所述中心朝向所述外包層的外周表面的方向的距離。