[發明專利]陶瓷支撐體、沸石膜復合體、沸石膜復合體的制造方法以及分離方法

有效

• 申請號: 201980015692.8
• 申請日: 2019-01-09
• 公開（公告）號: CN111902202B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 宮原誠;野田憲一
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: B01D69/10
• 分類號: B01D69/10;B01D53/22;B01D69/12;B01D71/02;B01J20/20;B01J20/28;B01J20/30;C01B39/48;C04B38/00;C04B41/85
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432
• 代理人: 王軼;鄭雪娜

1.一種沸石膜支撐用的多孔質的陶瓷支撐體，其中，

透水系數為1.1×10^－3m/s以下，

在與表面垂直的深度方向上，自所述表面起算30μm以內的表層部中的堿金屬及堿土金屬的合計含有率為1重量％以下，

所述陶瓷支撐體具備：

中間層，該中間層包括所述表層部；

支撐層，該支撐層自所述中間層的與沸石膜接觸的表面相反一側對所述中間層進行支撐，

所述支撐層中的堿金屬及堿土金屬的合計含有率大于1重量％。

2.根據權利要求1所述的陶瓷支撐體，其中，

所述表層部的氣孔率為50％以下。

3.根據權利要求1或2所述的陶瓷支撐體，其中，

該支撐層的平均粒徑大于所述中間層的平均粒徑。

4.一種沸石膜復合體，其中，具備：

權利要求1至3中的任一項所述的陶瓷支撐體、以及

形成在所述陶瓷支撐體的所述表面上的沸石膜。

5.根據權利要求4所述的沸石膜復合體，其中，

所述沸石膜的表面中的表面異常的比例為15％以下。

6.根據權利要求4或5所述的沸石膜復合體，其中，

所述沸石膜的厚度為0.1μm以上且30μm以下。

7.根據權利要求4或5所述的沸石膜復合體，其中，

所述沸石膜中的氧化硅的含有率為氧化鋁的含有率的10倍以上。

8.根據權利要求6所述的沸石膜復合體，其中，

所述沸石膜中的氧化硅的含有率為氧化鋁的含有率的10倍以上。

9.一種沸石膜復合體的制造方法，其中，包括以下工序：

a)準備權利要求1至3中的任一項所述的陶瓷支撐體的工序，

b)準備晶種的工序，

c)使所述晶種附著于所述陶瓷支撐體上的工序，以及

d)將所述陶瓷支撐體浸漬于原料溶液中，通過水熱合成使沸石自所述晶種生長而在所述陶瓷支撐體上形成沸石膜的工序。

10.一種分離方法，其中，包括如下工序：

a)準備權利要求4至8中的任一項所述的沸石膜復合體的工序，以及

b)向所述沸石膜復合體供給包含多種氣體或液體的混合物質，使所述混合物質中的滲透性高的物質透過所述沸石膜復合體，由此將該物質從其他物質中分離出來的工序。

11.根據權利要求10所述的分離方法，其中，

所述混合物質包含氫、氦、氮、氧、水、水蒸汽、一氧化碳、二氧化碳、氮氧化物、氨、硫氧化物、硫化氫、氟化硫、汞、胂、氰化氫、羰基硫、C1～C8的烴、有機酸、醇、硫醇類、酯、醚、酮以及醛中的1種以上的物質。