[發(fā)明專利]2,3,3,3-四氟丙烯的生產(chǎn)工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980015511.1
• 申請日: 2019-03-04
• 公開（公告）號: CN111770908A
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: L.溫德林格;D.杜爾-伯特;A.皮加莫
• 申請（專利權(quán)）人: 阿科瑪法國公司
• 主分類號: C07C17/20
• 分類號: C07C17/20;C07C21/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 詹承斌;宋莉

1.2,3,3,3-四氟丙烯的生產(chǎn)工藝，其包括以下階段：

i)在第一反應(yīng)器中，在催化劑的存在下，使包含2-氯-3,3,3-三氟丙烯的物流A在氣相中與氫氟酸接觸，以便產(chǎn)生包含2,3,3,3-四氟丙烯、HCl、HF和未反應(yīng)的2-氯-3,3,3-三氟丙烯的物流B；以及

ii)在第二反應(yīng)器中，在氣相中，在存在或不存在催化劑的情況下，使氫氟酸與至少一種選自1,1,1,2,3-五氯丙烷、2,3-二氯-1,1,1-三氟丙烷、2,3,3,3-四氯丙烯和1,1,2,3-四氯丙烯的氯化化合物接觸，以便產(chǎn)生包含2-氯-3,3,3-三氟丙烯的物流C，

其特征在于，將在階段i)中獲得的物流B供應(yīng)用于階段ii)的所述第二反應(yīng)器；而且，在階段i)中提供的所述物流A的電導(dǎo)率低于15mS/cm。

2.如權(quán)利要求1中所要求保護的工藝，其特征在于，階段i)是在催化劑、優(yōu)選基于鉻的催化劑的存在下進行的；特別地，所述催化劑包含氟氧化鉻、或氧化鉻、或氟化鉻、或者這些的混合物；而且，階段ii)是在存在或不存在催化劑的情況下進行的；有利地，階段ii)是在催化劑、優(yōu)選基于鉻的催化劑的存在下進行的；特別地，所述催化劑包含氟氧化鉻、或氧化鉻、或氟化鉻、或者這些的混合物。

3.如前述權(quán)利要求中所要求保護的工藝，其特征在于，所述催化劑基于鉻且還包含選自Ni、Zn、Co、Mn和Mg的助催化劑；優(yōu)選地，助催化劑的含量為0.01％-10％，基于所述催化劑的總重量計。

4.如前述權(quán)利要求中任一項所要求保護的工藝，其特征在于，所述物流C還包含2,3,3,3-四氟丙烯、HF、HCl和1,1,1,2,2-五氟丙烷。

5.如前述權(quán)利要求中任一項所要求保護的工藝，其特征在于，所述物流C是經(jīng)過純化的，優(yōu)選地通過蒸餾，以便形成包含2,3,3,3-四氟丙烯、HCl和1,1,1,2,2-五氟丙烷的物流C1，以及包含HF和2-氯-3,3,3-三氟丙烯的物流C2。

6.如前述權(quán)利要求中任一項所要求保護的工藝，其特征在于，所述物流C2在階段i)中再循環(huán)。

7.如前述權(quán)利要求中所要求保護的工藝，其特征在于，在階段i)中再循環(huán)的所述物流C2具有低于15mS/cm的電導(dǎo)率。

8.如前述權(quán)利要求中任一項所要求保護的工藝，其特征在于，所述物流B和所述至少一種氯化化合物在它們進入所述第二反應(yīng)器中之前接觸。

9.如前述權(quán)利要求中任一項所要求保護的工藝，其特征在于，階段i)的所述第一反應(yīng)器的進口處的壓力高于階段ii)的所述第二反應(yīng)器的進口處的壓力；優(yōu)選地，所述第一反應(yīng)器的進口處的壓力與所述第二反應(yīng)器的進口處的壓力之間的壓力差為100毫巴-3.5巴、有利地150毫巴-3.0巴、優(yōu)選地300毫巴-2.5巴、更優(yōu)先地400毫巴-2.0巴、特別地750毫巴-1.75巴、更特別地1-1.5巴。

10.如前述權(quán)利要求中任一項所要求保護的工藝，其特征在于，實施階段i)的溫度不同于實施階段ii)的溫度；且實施階段i)的溫度與實施階段ii)的溫度之間的差值高于0.2℃、有利地高于0.5℃、優(yōu)選地高于1℃、更優(yōu)先地高于5℃、特別地高于10℃；而且，低于60℃、有利地低于55℃、優(yōu)選地低于50℃、更優(yōu)選地低于45℃、特別地低于40℃、更特別地低于35℃、良好地低于30℃、優(yōu)先地良好地低于25℃、特別地良好地低于20℃。

11.如前述權(quán)利要求中所要求保護的工藝，其特征在于，階段i)是在比實施階段ii)的溫度更低的溫度下進行的；且實施階段i)的溫度與實施階段ii)的溫度之間的差值高于0.2℃、有利地高于0.5℃、優(yōu)選地高于1℃、更優(yōu)先地高于5℃、特別地高于10℃；而且，低于60℃、有利地低于55℃、優(yōu)選地低于50℃、更優(yōu)選地低于45℃、特別地低于40℃、更特別地低于35℃、良好地低于30℃、優(yōu)先地良好地低于25℃、特別地良好地低于20℃。