[發明專利]鑭系元素化合物、含鑭系元素薄膜及使用該鑭系元素化合物形成含鑭系元素薄膜在審
| 申請號： | 201980015311.6 | 申請日： | 2019-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN111770927A | 公開（公告）日： | 2020-10-13 |
| 發明（設計）人： | 克里斯蒂安·杜薩拉特;大野剛嗣;關友弘 | 申請（專利權）人： | 喬治洛德方法研究和開發液化空氣有限公司 |
| 主分類號： | C07F17/00 | 分類號： | C07F17/00;H01L29/49;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬爽;臧建明 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 元素 化合物 含鑭系 薄膜 使用 形成 | ||
1.一種通過以下通式(1)表示的鑭系元素化合物。
Ln(R1xCp)2(A)y……(1)
(在通式(1)中：
Ln是Nd、Eu、Dy、Tm、或Yb；
R1獨立地是甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、或叔戊基；
Cp是環戊二烯基；
A是含有氧、硫、磷、或氮的直鏈或環狀的烴；
x是2至3的整數；并且
y是0至2。)
2.一種通過以下通式(2)表示的鑭系元素化合物。
Sm(R2xCp)2(A)y……(2)
(在通式(2)中：
R2獨立地是正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、或叔戊基；
Cp是環戊二烯基；
A是含有氧、硫、磷、或氮的直鏈或環狀的烴；
x是2至3的整數；并且
y是0至2。)
3.如權利要求1或2所述的鑭系元素化合物，其中，通過通式(1)或通式(2)表示的該鑭系元素化合物是Sm(iPr3Cp)2、Eu(iPr3Cp)2、Tm(iPr3Cp)2、或Yb(iPr3Cp)2。
4.如權利要求1至3中任一項所述的鑭系元素化合物，其中，該鑭系元素化合物是用于形成用來生產半導體器件的含鑭系元素薄膜的材料。
5.如權利要求1至4中任一項所述的鑭系元素化合物，其中，該鑭系元素化合物是用于通過化學氣相沉積或原子層沉積形成含鑭系元素薄膜的材料。
6.一種含鑭系元素薄膜，其經由化學相沉積或原子層沉積通過沉積如權利要求1至5中任一項所述的鑭系元素化合物形成。
7.一種含有如權利要求6所述的含鑭系元素薄膜的發光材料。
8.一種用于形成含鑭系元素薄膜的方法，該方法包括：
基底引入步驟，用于將基底引入腔室內；
鑭系元素化合物引入步驟，用于將通過以下通式(1)或以下通式(2)表示的鑭系元素化合物引入在其中布置該基底的腔室內；以及
成膜步驟，用于在該基底上形成該鑭系元素化合物中的至少一些，以形成該含鑭系元素薄膜。
Ln(R1xCp)2(A)y……(1)
(在通式(1)中：
Ln是Nd、Eu、Dy、Tm、或Yb；
R1獨立地是甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、或叔戊基；
Cp是環戊二烯基；
A是含有氧、硫、磷、或氮的直鏈或環狀的烴；
x是2至3的整數；并且
y是0至2。)
Sm(R2xCp)2(A)y……(2)
(在通式(2)中：
R2獨立地是正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、或叔戊基；
Cp是環戊二烯基；
A是含有氧、硫、磷、或氮的直鏈或環狀的烴；
x是2至3的整數；并且
y是0至2。)
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