[發(fā)明專利]基板評(píng)價(jià)用芯片和基板評(píng)價(jià)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980014285.5
• 申請(qǐng)日: 2019-02-21
• 公開（公告）號(hào): CN111771120B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 菅沼克昭;長(zhǎng)尾至成;下山章夫;金東辰;竹下一毅;若杉直樹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)立大學(xué)法人大阪大學(xué);雅馬拓科學(xué)有限公司
• 主分類號(hào): G01N25/18
• 分類號(hào): G01N25/18
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 陳彥;張默

1.一種基板評(píng)價(jià)用芯片，其特征在于，為在用于對(duì)能夠安裝功率半導(dǎo)體的安裝基板的熱特性進(jìn)行評(píng)價(jià)的試驗(yàn)中使用的基板評(píng)價(jià)用芯片，

具有：

接合于所述安裝基板上的絕緣基板，

在所述絕緣基板的表面的中央部分由金屬膜形成為U字狀的、用于測(cè)定所述絕緣基板的溫度的測(cè)溫用圖形，以及

具有凹部分且以所述凹部分包圍所述測(cè)溫用圖形的周圍的方式在所述絕緣基板的表面由金屬膜形成為凹狀的同時(shí)，為了更均勻地對(duì)所述絕緣基板進(jìn)行加熱而具有使與所述測(cè)溫用圖形的前端U字部分相對(duì)的所述凹部分遠(yuǎn)離所述測(cè)溫用圖形的前端U字部分彎曲的形狀而配置的加熱用圖形；

所述絕緣基板是在具有250W/mK以上的熱傳導(dǎo)率的單晶基板的表面形成有絕緣膜的基板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板評(píng)價(jià)用芯片，其特征在于，所述絕緣基板是在SiC系單晶基板的表面形成有絕緣膜的基板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板評(píng)價(jià)用芯片，其特征在于，所述安裝基板為陶瓷布線基板。

4.一種基板評(píng)價(jià)裝置，其特征在于，為用于進(jìn)行用于對(duì)能夠安裝功率半導(dǎo)體的安裝基板的熱特性在所述安裝基板的表面安裝有基板評(píng)價(jià)用芯片的狀態(tài)下進(jìn)行評(píng)價(jià)的試驗(yàn)的基板評(píng)價(jià)裝置，

具有：

所述基板評(píng)價(jià)用芯片，其具有：接合于所述安裝基板上的、在具有250W/mK以上的熱傳導(dǎo)率的單晶基板的表面形成有絕緣膜的絕緣基板，在所述絕緣基板的表面的中央部分由金屬膜形成為U字狀的、用于測(cè)定所述絕緣基板的溫度的測(cè)溫用圖形，以及具有凹部分且以所述凹部分包圍所述測(cè)溫用圖形的周圍的方式在所述絕緣基板的表面由金屬膜形成為凹狀的同時(shí)、為了更均勻地對(duì)所述絕緣基板進(jìn)行加熱而具有使與所述測(cè)溫用圖形的前端U字部分相對(duì)的所述凹部分遠(yuǎn)離所述測(cè)溫用圖形的前端U字部分彎曲的形狀而形成的加熱用圖形，

所述安裝基板，其具有與所述基板評(píng)價(jià)用芯片接合的芯片鍵合圖形、以及與所述加熱用圖形的各電極焊盤和所述測(cè)溫用圖形的各電極焊盤連接的多個(gè)焊盤鍵合圖形，

用于使所述安裝基板冷卻的冷卻部，

具有用于經(jīng)由所述多個(gè)焊盤鍵合圖形將所述安裝基板按壓于所述冷卻部的多個(gè)端子電極的負(fù)荷施加部，

用于通過(guò)經(jīng)由所述多個(gè)端子電極中的幾個(gè)對(duì)所述基板評(píng)價(jià)用芯片的所述加熱用圖形進(jìn)行加熱而使所述基板評(píng)價(jià)用芯片的所述絕緣基板的溫度上升的加熱部，以及

用于利用所述基板評(píng)價(jià)用芯片的所述測(cè)溫用圖形、經(jīng)由所述多個(gè)端子電極中的幾個(gè)來(lái)測(cè)定所述絕緣基板的溫度的測(cè)定部；

基于所述測(cè)定部的測(cè)定結(jié)果對(duì)所述安裝基板的熱特性進(jìn)行評(píng)價(jià)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板評(píng)價(jià)裝置，其特征在于，各個(gè)所述多個(gè)端子電極中，與所述安裝基板的所述多個(gè)焊盤鍵合圖形抵接的抵接部具有半球狀。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板評(píng)價(jià)裝置，其特征在于，

所述多個(gè)端子電極被絕緣性的支撐部件共同支撐，

所述支撐部件具有用于檢測(cè)通過(guò)由所述負(fù)荷施加部施加負(fù)荷而將所述安裝基板按壓于所述冷卻部時(shí)的負(fù)荷的負(fù)荷檢測(cè)部。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板評(píng)價(jià)裝置，其特征在于，所述絕緣基板是在SiC系單晶基板的表面形成有絕緣膜的基板。