[發(fā)明專利]能量純度模塊、離子植入系統(tǒng)及減少其中粒子的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980013322.0 | 申請日： | 2019-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN111742388B | 公開（公告）日： | 2023-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 常勝武;法蘭克·辛克萊;亞歷山大·利坎斯奇;克里斯多夫·坎貝爾;羅伯特·C·林德柏格 | 申請（專利權(quán)）人： | 瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司 |
| 主分類號： | H01J37/147 | 分類號： | H01J37/147;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬爽;臧建明 |
| 地址： | 美國麻薩諸塞州格洛斯特郡*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 能量 純度 模塊 離子 植入 系統(tǒng) 減少 其中 粒子 方法 | ||
1.一種離子植入系統(tǒng)，包括：
靜電過濾器，用于向晶片遞送離子束，所述靜電過濾器包括：
殼體，具有靠近所述晶片的出口；以及
多個導(dǎo)電束光學(xué)器件，位于所述殼體內(nèi)，所述多個導(dǎo)電束光學(xué)器件圍繞離子束線排列，且所述多個導(dǎo)電束光學(xué)器件包括：
一組入口孔電極，靠近所述殼體的入口孔；
一組高能電極，沿著所述離子束線位于所述一組入口孔電極的下游；以及
一組接地電極，沿著所述離子束線位于所述一組高能電極的下游，其中所述一組高能電極被定位成比所述一組入口孔電極及所述一組接地電極更遠離所述離子束線，其中所述一組高能電極中位于所述離子束線上方且與所述一組入口孔電極最靠近的第一高能電極被定位成比所述一組高能電極中的剩余高能電極更遠離所述離子束線；以及
電氣系統(tǒng)，與所述靜電過濾器通信，所述電氣系統(tǒng)能夠操作以向所述多個導(dǎo)電束光學(xué)器件供應(yīng)電壓及電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子植入系統(tǒng)，其中所述多個導(dǎo)電束光學(xué)器件中的每一者并聯(lián)連接以允許獨立調(diào)整所述電壓及所述電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子植入系統(tǒng)，還包括從所述殼體延伸的一組出口板，其中所述一組出口板平行于所述離子束的行進方向取向，且其中所述一組接地電極包括靠近所述出口的一組出口孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子植入系統(tǒng)，其中所述一組出口孔在所述一組出口孔之間界定從所述晶片行進并通過所述出口的背濺射材料的最大包絡(luò)，且其中所述一組高能電極相對于所述一組出口孔的位置防止所述背濺射材料的所述最大包絡(luò)到達所述一組高能電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的離子植入系統(tǒng)，其中所述一組出口孔中的第一對出口孔靠近所述一組出口板的下游端定位，且其中所述一組出口孔中的第二對出口孔靠近所述一組出口板的上游端定位。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子植入系統(tǒng)，其中還包括一組端子電極，所述端子電極定位在所述一組入口孔電極與所述一組高能電極之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子植入系統(tǒng)，還包括一組繼電器，所述一組繼電器能夠操作以使所述一組高能電極中的每一者在高壓電源供應(yīng)器與接地之間切換。
8.一種靜電過濾器，用于向工件遞送離子束，其中所述靜電過濾器包括：
殼體，具有靠近所述工件的出口；以及
多個導(dǎo)電束光學(xué)器件，位于所述殼體內(nèi)，所述多個導(dǎo)電束光學(xué)器件包括：
一組入口孔電極，靠近所述殼體的入口孔；
一組高能電極，沿著離子束線位于所述一組入口孔電極的下游；以及
一組接地電極，沿著所述離子束線位于所述一組高能電極的下游，其中所述一組高能電極被定位成比所述一組入口孔電極及所述一組接地電極更遠離所述離子束線，其中所述一組高能電極中位于所述離子束線上方且與所述一組入口孔電極最靠近的第一高能電極被定位成比所述一組高能電極中的剩余高能電極更遠離所述離子束線；以及
電氣系統(tǒng)，與所述多個導(dǎo)電束光學(xué)器件通信，所述電氣系統(tǒng)能夠操作以獨立地向所述多個導(dǎo)電束光學(xué)器件供應(yīng)電壓及電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的靜電過濾器，還包括：
所述一組接地電極的一組出口孔，靠近所述出口定位；以及
一組出口板，從所述殼體延伸，其中所述一組出口板平行于所述離子束線取向，其中所述一組出口孔中的第一對出口孔靠近所述一組出口板的下游端定位，且其中所述一組出口孔中的第二對出口孔靠近所述一組出口板的上游端定位。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電過濾器，其中所述一組出口孔在所述一組出口孔之間界定從所述工件行進并通過所述出口的背濺射材料的最大包絡(luò)，且其中所述一組高能電極相對于所述一組出口孔的位置使背射濺射材料到達所述一組高能電極的量最小化。
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