[發明專利]提供電流補償的系統和裝置

在審

• 申請號: 201980013145.6
• 申請日: 2019-02-19
• 公開（公告）號: CN111713000A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: M·G·隆美爾;K·瓦根索納;R·格蘭卡里奇;M·U·舒倫克
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H02M3/156
• 分類號: H02M3/156
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 袁策

1.一種裝置，其包括：

第一電流路徑，其包含第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管包含第一柵極、第一漏極和第一源極，所述第二晶體管包含第二柵極、第二漏極和第二源極，所述第一漏極耦合至所述第二漏極；

第二電流路徑，其包含第三晶體管和第四晶體管，所述第三晶體管包含第三柵極、第三漏極和第三源極，所述第四晶體管包括第四柵極、第四漏極和第四源極，所述第三源極耦合至所述第一源極和所述第三柵極，所述第三漏極耦合至所述第四漏極，所述第四源極耦合至所述第四柵極和所述第二源極；以及

電流鏡，其包含第五晶體管和第六晶體管，所述第五晶體管包括第五柵極、第五漏極和第五源極，所述第六晶體管包括第六柵極、第六漏極和第六源極，所述第五漏極耦合至所述第三漏極、所述第六柵極和所述第五柵極，所述第六漏極耦合至所述第二漏極，所述第五源極耦合至所述第六源極和所述第四源極，其中所述第一晶體管和所述第三晶體管之間存在第一比率，所述第二晶體管和所述第四晶體管之間存在第二比率，并且所述第五晶體管和所述第六晶體管之間存在第三比率，所述第三比率大于或等于所述第二比率，所述第二比率大于或等于所述第一比率。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第一晶體管和所述第三晶體管是PMOS晶體管，并且所述第二晶體管、所述第四晶體管、所述第五晶體管和所述第六晶體管是NMOS晶體管。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第一比率基于所述第一晶體管的第一溝道寬度和所述第三晶體管的第二溝道寬度，所述第二比率基于所述第二晶體管的第三溝道寬度和所述第四晶體管的第四溝道寬度，所述第三比率基于所述第五晶體管的第五溝道寬度和所述第六晶體管的第六溝道寬度。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第一電流路徑耦合至所述第二電流路徑和所述電流鏡。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第二電流路徑耦合至所述第一電流路徑和所述電流鏡。

6.一種裝置，其包括：

調節器，其被配置為使用第一晶體管和第二晶體管調節通過功率轉換器的電流的流動；

傳感器，其被配置為：

檢測與所述第一晶體管相關聯的第一電流和與所述第二晶體管相關聯的第二電流，其中所述第一電流經由電流鏡像配置由第三晶體管檢測，并且所述第二電流經由所述電流鏡像配置由第四晶體管檢測；并且

確定所述第一電流與所述第二電流之間的差；以及

自適應補償電路，其被配置為基于所述第一電流與所述第二電流之間的所述差調整通過所述功率轉換器的輸出的第三電流。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中所述第一電流是第一泄漏電流，并且所述第二電流是第二泄漏電流。

8.根據權利要求7所述的裝置，其中所述第一泄漏電流是從所述第一晶體管的第一漏極流出的第一電流，并且所述第二泄漏電流是流入所述第二晶體管的第二漏極的第二電流。

9.根據權利要求6所述的裝置，其中所述調整是從所述功率轉換器的所述輸出中扣除所述第一電流與所述第二電流之間的所述差。

10.根據權利要求6所述的裝置，其中所述自適應補償電路提高所述功率轉換器的效率。

11.根據權利要求6所述的裝置，其中當所述第一晶體管和所述第二晶體管關斷時，所述自適應補償電路可以調整所述第三電流。