[發明專利]濾波器裝置以及多工器在審
| 申請號： | 201980011518.6 | 申請日： | 2019-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN111727564A | 公開（公告）日： | 2020-09-29 |
| 發明（設計）人： | 荒木正人 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H03H9/145 | 分類號： | H03H9/145;H03H9/64;H03H9/72 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 趙琳琳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 濾波器 裝置 以及 多工器 | ||
1.一種濾波器裝置，具備：
第1端子以及第2端子；
第1濾波器電路，與所述第1端子以及所述第2端子連接，包含第1彈性波諧振器，將第1頻帶作為通帶；以及
附加電路，與至少一個所述第1彈性波諧振器并聯地連接在所述第1端子與所述第2端子之間，包含第2彈性波諧振器，
所述附加電路的機電耦合系數與所述第1濾波器電路的機電耦合系數不同。
2.根據權利要求1所述的濾波器裝置，其中，
所述附加電路的機電耦合系數大于所述第1濾波器電路的機電耦合系數。
3.根據權利要求2所述的濾波器裝置，其中，
所述第1彈性波諧振器具有：
第1壓電體以及第1叉指換能器電極即第1IDT電極；以及
第1電介質層，形成在所述第1壓電體與所述第1IDT電極之間，
所述第2彈性波諧振器具有：
第2壓電體；以及
第2IDT電極，形成為與所述第2壓電體接觸。
4.根據權利要求2所述的濾波器裝置，其中，
所述第1彈性波諧振器具有：
第1壓電體以及第1IDT電極；以及
第1電介質層，形成在所述第1壓電體與所述第1IDT電極之間，對機電耦合系數進行調整，
所述第2彈性波諧振器具有：
第2壓電體以及第2IDT電極；以及
第2電介質層，形成在所述第2壓電體與所述第2IDT電極之間，對機電耦合系數進行調整，
所述第2電介質層比所述第1電介質層薄。
5.根據權利要求2所述的濾波器裝置，其中，
所述第1彈性波諧振器具有：
第1壓電體以及第1IDT電極；以及
第3電介質層，形成為覆蓋所述第1IDT電極，對機電耦合系數進行調整，
所述第2彈性波諧振器具有：
第2壓電體以及第2IDT電極；以及
第4電介質層，形成為覆蓋所述第2IDT電極，對機電耦合系數進行調整，
所述第4電介質層比所述第3電介質層薄。
6.根據權利要求3～5中的任一項所述的濾波器裝置，其中，
所述第1壓電體以及所述第2壓電體是連續的一個壓電體。
7.根據權利要求1所述的濾波器裝置，其中，
所述附加電路的機電耦合系數小于所述第1濾波器電路的機電耦合系數。
8.根據權利要求7所述的濾波器裝置，其中，
所述第1彈性波諧振器具有：
第1壓電體；以及
第1IDT電極，形成為與所述第1壓電體接觸，
所述第2彈性波諧振器具有：
第2壓電體以及第2IDT電極；以及
第2電介質層，形成在所述第2壓電體與所述第2IDT電極之間，對機電耦合系數進行調整。
9.根據權利要求7所述的濾波器裝置，其中，
所述第1彈性波諧振器具有：
第1壓電體以及第1IDT電極；以及
第1電介質層，形成在所述第1壓電體與所述第1IDT電極之間，對機電耦合系數進行調整，
所述第2彈性波諧振器具有：
第2壓電體以及第2IDT電極；以及
第2電介質層，形成在所述第2壓電體與所述第2IDT電極之間，對機電耦合系數進行調整，
所述第2電介質層比所述第1電介質層厚。
10.根據權利要求7所述的濾波器裝置，其中，
所述第1彈性波諧振器具有：
第1壓電體以及第1IDT電極；以及
第3電介質層，形成為覆蓋所述第1IDT電極，對機電耦合系數進行調整，
所述第2彈性波諧振器具有：
第2壓電體以及第2IDT電極；以及
第4電介質層，形成為覆蓋所述第2IDT電極，對機電耦合系數進行調整，
所述第4電介質層比所述第3電介質層厚。
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