[發明專利]用于電路板的復合陶瓷和用于其制造的方法

在審

• 申請號: 201980010287.7
• 申請日: 2019-01-24
• 公開（公告）號: CN111656870A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 安德烈亞斯·邁爾;斯特凡·布里廷;卡斯滕·施密特
• 申請（專利權）人: 羅杰斯德國有限公司
• 主分類號: H05K1/03
• 分類號: H05K1/03;C04B37/02;H05K3/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;支娜

1.一種用于電路板的復合陶瓷(10)，所述復合陶瓷包括：

-由第一陶瓷材料構成的芯層(1)，和

-由第二陶瓷材料構成的覆蓋層(2)，所述覆蓋層用于至少部分地覆蓋所述芯層(1)，其中所述覆蓋層(2)直接材料配合地連結于所述芯層(1)，并且覆蓋層厚度(DD1)與芯層厚度(DP)的比值具有小于1，優選小于0.5并且特別優選小于0.2的值。

2.根據權利要求1所述的復合陶瓷(10)，

其中所述芯層厚度(DP)具有在0.1mm和3.0mm之間，優選在0.2mm和2.0mm之間并且特別優選在0.5mm和1.5mm之間的值。

3.根據上述權利要求中任一項所述的復合陶瓷(10)，

其中所述芯層(1)包括AlN或MgO，和/或所述覆蓋層(2)包括Si₃N₄、TSZ或ZTA。

4.根據上述權利要求中任一項所述的復合陶瓷(10)，

其中所述芯層(1)包括Si₃N₄、TSZ和/或ZTA，并且所述覆蓋層包括氧化物陶瓷，尤其是氧化鋁。

5.根據上述權利要求中任一項所述的復合陶瓷(10)，

其中附加的覆蓋層設計用于尤其借助于DCB法改進地金屬的連結部，所述附加的覆蓋層至少部分地，優選完全地覆蓋連結在所述芯層上的覆蓋層(2)。

6.根據權利要求5所述的復合陶瓷，

其中所述附加的覆蓋層包括氧化鋁。

7.根據上述權利要求中任一項所述的復合陶瓷，

其中所述芯層包括SiC。

8.根據上述權利要求中任一項所述的復合陶瓷(10)，

其中所述覆蓋層(2)在兩側設置在所述芯層(1)上。

9.一種用于制造根據上述權利要求中任一項所述的復合陶瓷(10)的方法。

10.一種用于制造復合陶瓷(10)的方法，所述方法包括：

提供第一陶瓷材料和第二陶瓷材料；和

將所述第一陶瓷材料與所述第二陶瓷材料連接，

其中所述第一陶瓷材料形成芯層(1)并且所述第二陶瓷材料形成覆蓋層(2)，其中所述覆蓋層(2)直接連結于所述芯層(1)，

其中將所述第二陶瓷材料為了連接以未燒結的狀態、氣態地或作為注漿提供。

11.根據權利要求10所述的方法，

其中將所述第一陶瓷材料和所述第二陶瓷材料以未燒結的狀態或作為注漿提供并且逐層地上下相疊地設置。

12.根據權利要求11所述的方法，

其中將所述第一陶瓷材料和所述第二陶瓷材料為了連結

-以未燒結的狀態輥壓，等靜壓地彼此按壓，尤其層壓；或者

-以熔融狀態上下相疊地澆注，尤其利用刮板澆注。

13.根據權利要求12所述的方法，

其中時間上在連結之后，將所述第一陶瓷材料和所述第二陶瓷材料燒結。

14.根據權利要求13所述的方法，

其中將金屬氧化物和/或氮化物用作為燒結助劑。

15.根據權利要求10所述的方法，

其中將所述覆蓋層(2)利用氣相沉積或氣溶膠沉積在所述芯層(1)上形成。