[發(fā)明專利]切割工藝用保護(hù)性涂層劑

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980009171.1
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN111630113B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳承燦;金昶圭
• 申請（專利權(quán)）人: MTI株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C09D4/00
• 分類號(hào): C09D4/00;C09D7/40
• 代理公司: 北京得信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11511
• 代理人: 袁偉東

本發(fā)明涉及一種用于制備半導(dǎo)體的切割工藝用保護(hù)性涂層劑，具體涉及一種切割工藝用保護(hù)性涂層劑，其可以被涂布在晶圓等的表面上而在制備工藝中保護(hù)晶圓的表面。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用于制備半導(dǎo)體的切割工藝用保護(hù)性涂層劑，具體涉及一種切割工藝用保護(hù)性涂層劑，其可以被涂布在晶圓等的表面上而在制備工藝中保護(hù)晶圓的表面。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體晶圓加工工藝中，切割工藝，即鋸切工藝，是介于晶圓制備工藝與封裝工藝之間且將所述晶圓以各個(gè)芯片單元分離的工藝。

其中，在將半導(dǎo)體晶圓的各個(gè)芯片用刀片互相分離的工藝中，落到芯片表面的碎片會(huì)造成不良。為了解決所述問題，從前使用的方法是將噴嘴沿著刀片的兩側(cè)與晶圓的水平方向設(shè)置，以高壓噴射大量的水而立即去除落到芯片表面的碎片。所述方法在半導(dǎo)體芯片尺寸大，加工時(shí)間短，碎片量少時(shí)是有用的，然而，在半導(dǎo)體芯片的尺寸的減小、加工時(shí)間的增加、碎片產(chǎn)量增加時(shí)，無法立即去除碎片。

對(duì)此，為了克服所述問題，韓國專利申請第10-2009-0066314號(hào)公開了一種用作為非離子表面活性劑的聚環(huán)氧乙烷/聚環(huán)氧丙烷(Polyethyleneoxide/Polypropyleneoxide，PEO-PPO)、聚乙二醇(Polyethyleneglycol，PEG)以及其他添加劑制備的洗滌劑組合物。

然而，用所述組合物進(jìn)行鋸切工藝時(shí)，可以去除一定大小的碎片，但無法完全去除微小的碎片。結(jié)果，被殘留的微小碎片所引起的刮痕、鑿痕等缺陷仍未解決。

因此，仍然存在著對(duì)用于切割工藝的保護(hù)性涂層劑的需求，其可以在晶圓表面形成涂層而防止在切割工藝和其他加工工藝中發(fā)生的刮痕、鑿痕、污點(diǎn)、變白或腐蝕等缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題

本發(fā)明是斟酌所述內(nèi)容而提出的，其目的在于提供一種切割工藝用保護(hù)性涂層劑，其在半導(dǎo)體制備工藝中加工晶圓等時(shí)保護(hù)表面并防止因雜質(zhì)流入等而發(fā)生的表面損傷。

問題的解決方案

為了解決所述技術(shù)問題，本發(fā)明的切割工藝用保護(hù)性涂層劑的特征在于，被涂布在晶圓表面上。

作為一實(shí)施例，所述保護(hù)性涂層劑可以具有2H～5H的鉛筆硬度、2B～5B的粘接力以及8～35％的抗磨性。

作為一實(shí)施例，所述保護(hù)性涂層劑可以包括由下面的化學(xué)式10表示的化合物。

[化學(xué)式10]