[發明專利]半寬度雙泵數據路徑有效
| 申請號: | 201980009134.0 | 申請日: | 2019-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN111630597B | 公開(公告)日: | 2021-08-10 |
| 發明(設計)人: | M·K·哈德里克 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G11C8/18 | 分類號: | G11C8/18;G11C7/22;G11C8/06 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 寬度 數據 路徑 | ||
本文揭示具有通過雙泵選通信號計時的半寬度數據路徑(46)或數據總線的存儲器裝置(10)。方法(400、420)及裝置(10)可采用單個延遲鏈(例如,列存取選通CAS鏈)(202A、202B、204)來執行雙泵操作。所述延遲鏈(202)可包含可基于所述雙泵選通信號產生一個或兩個脈沖的多個延遲元件(214)。還揭示用于介接的方法(400、420),例如讀取及寫入方法(400、420)。
技術領域
本發明涉及一種數據傳送總線及數據傳送總線控制,且更特定來說,涉及能夠使用具有雙泵時鐘策略的半寬度數據路徑的方法及系統。
背景技術
存儲器裝置(例如隨機存取存儲器(RAM)裝置、動態RAM裝置(DRAM)、靜態RAM裝置(SRAM)或快閃存儲器)通常用于電子系統中以提供存儲器功能性以促進數據處理操作及/或促進可促進數據處理操作的數據存儲。為此目的,這些存儲器裝置可具有經布置于存儲器存儲體中的可尋址存儲器元件(例如,單元、行、列等)。存儲器裝置可通過輸入/輸出(I/O)接口提供對存儲器元件的數據存取以用于處理電路(例如,處理器、微控制器、芯片上系統)。存儲器裝置的I/O接口可通過內部數據路徑耦合到存儲器元件。
在許多系統中,數據路徑的寬度(例如,所輸送的平行位的數目)可類似于存儲器字大小。例如,128位存儲器裝置(例如,具有128位字的存儲器裝置)可具有將存儲器存儲體耦合到I/O接口的128位寬的數據路徑。此寬數據路徑及總線可能需要存儲器裝置中的大量芯片空間且導致來自數據線的數量的金屬擁塞。隨著帶寬及字大小隨技術增大,常規數據路徑解決方案可能在相當大的程度上受到芯片空間及功率消耗需求約束。
附圖說明
在閱讀以下實施方式及參考圖式之后可更佳理解本發明的各種方面,其中:
圖1是說明根據實施例的可實施半寬度雙泵數據路徑的存儲器裝置的組織的框圖;
圖2是說明根據實施例的可使用全寬度單泵數據路徑執行讀取操作的存儲器存儲體存取電路的框圖;
圖3是說明根據實施例的可通過存儲器存儲體存取電路(例如圖2的電路)執行的讀取操作的時序圖;
圖4是說明根據實施例的可使用半寬度雙泵數據路徑執行讀取操作的存儲器存儲體存取電路的框圖;
圖5是說明根據實施例的可通過存儲器存儲體存取電路(例如圖4的電路)執行的讀取操作的時序圖;
圖6是說明根據實施例的可與圖4的存儲器存儲體存取電路組合使用的列存取邏輯的框圖;
圖7是說明根據實施例的可用于列存取邏輯(例如圖6的邏輯)中的單脈沖發生器塊的框圖;
圖8是說明根據實施例的圖7的單脈沖發生器塊的脈沖生成的時序圖;
圖9是說明根據實施例的可用于列存取邏輯(例如圖6的邏輯)中的雙脈沖發生器塊的框圖;
圖10是說明根據實施例的圖9的雙脈沖發生器塊的脈沖生成的時序圖;
圖11是說明根據實施例的可使用半寬度雙泵數據路徑執行寫入操作的存儲器存儲體存取電路的框圖;
圖12是說明根據實施例的可通過存儲器存儲體存取電路(例如圖11的電路)執行的寫入操作的時序圖;
圖13是說明根據實施例的可與存儲器存儲體存取電路(例如圖12的電路)組合使用的列存取邏輯的框圖;
圖14是根據實施例的從采用半寬度雙泵數據路徑的存儲器裝置讀取數據的方法;及
圖15是根據實施例的將數據寫入采用半寬度雙泵數據路徑的存儲器裝置的方法。
具體實施方式
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