[發(fā)明專(zhuān)利]基于微型LED的顯示面板

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980008910.5
• 申請(qǐng)日: 2019-01-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111615749A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·S·斯佐夫;I·比塔;J-J·P·德羅萊特;J·T·倫納德;J·S·斯特克爾;N·T·勞倫塞;辛?xí)詾I;R·博斯
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘋(píng)果公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/075
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/075;H01L33/00;H01L33/60;H01L33/54;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/50
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 張寧

1.一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括：

發(fā)光二極管(LED)，所述發(fā)光二極管粘結(jié)到襯底的電極焊盤(pán)，其中所述LED包括基于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的p-n二極管和粘結(jié)到所述電極焊盤(pán)的金屬底部觸點(diǎn)；

絕緣填充層，所述絕緣填充層橫向圍繞所述LED和所述金屬底部觸點(diǎn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中通過(guò)金屬-金屬粘結(jié)將所述金屬底部觸點(diǎn)的平面底表面粘結(jié)到所述電極焊盤(pán)的平面頂表面，并且通過(guò)氧化物-氧化物粘結(jié)將所述絕緣填充層的平面底表面粘結(jié)到所述襯底的平面頂表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述LED安裝在嵌入所述絕緣填充層內(nèi)的阱結(jié)構(gòu)內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述阱結(jié)構(gòu)是反射阱結(jié)構(gòu)，包括橫向圍繞阱材料的反射金屬層，其中所述阱材料橫向圍繞所述阱結(jié)構(gòu)內(nèi)的所述LED。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述反射金屬層是連續(xù)層，所述連續(xù)層在所述LED周?chē)拖路讲⑶以谒鲒宀牧现形挥谒鯨ED正下方的開(kāi)口內(nèi)跨越。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中：

通過(guò)金屬-金屬粘結(jié)將所述金屬底部觸點(diǎn)的平面底表面粘結(jié)到所述電極焊盤(pán)的平面頂表面；

通過(guò)氧化物-氧化物粘結(jié)將所述絕緣填充層的平面底表面粘結(jié)到所述襯底的平面頂表面；

并且所述襯底是CMOS襯底。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述p-n二極管具有小于5微米的最大寬度以及小于3微米的最大高度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述反射阱結(jié)構(gòu)包括反射側(cè)壁，所述反射側(cè)壁的特征在于所述側(cè)壁相對(duì)于水平的角度為50-80度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，還包括位于所述LED和所述反射阱結(jié)構(gòu)上方的具有側(cè)壁的微光學(xué)元件，其中所述微光學(xué)元件的所述側(cè)壁的特征在于所述側(cè)壁相對(duì)于水平的角度為70-85度。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，還包括位于所述LED和所述反射阱結(jié)構(gòu)上方的具有圍繞光學(xué)材料的反射側(cè)壁的微光學(xué)元件，其中所述光學(xué)材料填充有顏色轉(zhuǎn)換材料，并且所述微光學(xué)元件的所述反射側(cè)壁的特征在于所述側(cè)壁相對(duì)于水平的角度為45-60度。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，還包括：

微光學(xué)元件，所述微光學(xué)元件位于所述LED和所述反射阱結(jié)構(gòu)上方；以及

濾光器，所述濾光器位于所述微光學(xué)元件上方，其中所述微光學(xué)元件包括填充有量子點(diǎn)的光學(xué)材料，并且所述濾光器封裝填充有量子點(diǎn)的所述光學(xué)材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述濾光器包括用于反射從所述LED發(fā)射的光的回收部分，以及用于僅使從所述量子點(diǎn)發(fā)射的近似法向入射的光通過(guò)的準(zhǔn)直部分，所述準(zhǔn)直部分在所述回收部分上方。

13.一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括：

第一發(fā)光二極管(LED)，所述第一發(fā)光二極管包括被設(shè)計(jì)成發(fā)射第一顏色發(fā)射的第一基于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的p-n二極管，以及粘結(jié)到第一電極焊盤(pán)的第一金屬底部觸點(diǎn)；以及

第二LED，所述第二LED包括被設(shè)計(jì)成發(fā)射與所述第一顏色發(fā)射不同的第二顏色發(fā)射的第二基于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的p-n二極管，以及粘結(jié)到第二電極焊盤(pán)的第二金屬底部觸點(diǎn)；

其中所述第一金屬底部觸點(diǎn)比所述第二金屬底部觸點(diǎn)更厚，并且所述第二基于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的p-n二極管比所述第一基于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的p-n二極管更厚。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述第一金屬底部觸點(diǎn)和所述第二金屬底部觸點(diǎn)的底表面是共面的。