[發明專利]接合線在審
| 申請號: | 201980008520.8 | 申請日: | 2019-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN111656501A | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發明(設計)人: | 黑崎裕司;棚橋央 | 申請(專利權)人: | 拓自達電線株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;C22C5/02;C22F1/00;C22F1/14 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 金雪梅;王秀輝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接合 | ||
1.一種接合線,其中,
Cu的含量為0.1質量%以上且5.0質量%以下,
Ca的含量為1質量ppm以上且100質量ppm以下,
從由Nd、Sm和Gd構成的組中選擇的1種或者2種以上的元素的含量的合計為1質量ppm以上且100質量ppm以下,
Ca的含量與從由Nd、Sm和Gd構成的組中選擇的1種或者2種以上的元素的含量的合計為5質量ppm以上且150質量ppm以下,
剩余部分由Au構成。
2.根據權利要求1所述的接合線,其中,
Cu的含量為3質量%以下。
3.根據權利要求1所述的接合線,其中,
Cu的含量小于1質量%。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的接合線,其中,
Cu的含量為0.3質量%以上。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的接合線,其中,
Ca的含量與從由Nd、Sm和Gd構成的組中選擇的1種或者2種以上的元素的含量的合計為20質量ppm以上且100質量ppm以下。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





