[發(fā)明專利]有機(jī)EL元件、具有苯并唑環(huán)結(jié)構(gòu)的胺化合物及在有機(jī)EL元件的封蓋層中使用其的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980008139.1
• 申請(qǐng)日: 2019-01-10
• 公開（公告）號(hào): CN111567141B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 加瀨幸喜;山本剛史;望月俊二;林秀一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 保土谷化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H05B33/02
• 分類號(hào): H05B33/02;C07D249/20;C07D403/10;H10K50/85;H10K50/858;H10K50/844
• 代理公司: 中國貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 賈成功

有機(jī)EL元件，為至少依次具有陽極電極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、陰極電極及封蓋層的有機(jī)EL元件，其中，上述封蓋層含有由下述通式(A?1)表示的具有苯并唑環(huán)結(jié)構(gòu)的胺化合物。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在適于各種顯示裝置的作為自發(fā)光元件的有機(jī)電致發(fā)光元件(以下簡稱為有機(jī)EL元件)中適用的化合物和元件，詳細(xì)地說，涉及具有苯并唑環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物、使用了該化合物的有機(jī)EL元件和在有機(jī)EL元件中使用該化合物的方法。

背景技術(shù)

有機(jī)EL元件為自發(fā)光性元件，因此與液晶元件相比明亮且可視性優(yōu)異，可進(jìn)行鮮明的顯示。因此進(jìn)行了活躍的研究。

1987年伊士曼柯達(dá)公司的C.W.Tang等開發(fā)出將各種職能分擔(dān)于各材料的層疊結(jié)構(gòu)元件，由此使使用了有機(jī)材料的有機(jī)EL元件成為實(shí)用的元件。他們通過將能夠傳輸電子的熒光體和能夠傳輸空穴的有機(jī)物層疊、將兩者的電荷注入到熒光體的層中而使其發(fā)光，由此用10V以下的電壓得到1000cd/m²以上的高亮度(例如參照專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2)。

目前為止，為了有機(jī)EL元件的實(shí)用化，進(jìn)行了大量的改進(jìn)，對(duì)層疊結(jié)構(gòu)的各種職能進(jìn)一步細(xì)分化，在基板上依次設(shè)置了陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極的電致發(fā)光元件中，通過從底部發(fā)光的底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件，實(shí)現(xiàn)了高效率和耐久性(例如參照非專利文獻(xiàn)1)。

近年來，逐漸使用將具有高功函數(shù)的金屬用于陽極、從上部發(fā)光的頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。在從具有像素電路的底部將光取出的底部發(fā)射結(jié)構(gòu)中，發(fā)光部的面積受到限制，相對(duì)于此，在頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件中，通過從上部將光取出，像素電路不會(huì)阻擋，因此具有將發(fā)光部擴(kuò)寬的優(yōu)點(diǎn)。在頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件中，在陰極中使用LiF/Al/Ag(例如參照非專利文獻(xiàn)2)、Ca/Mg(例如參照非專利文獻(xiàn)3)、LiF/MgAg等半透明電極。

在這樣的發(fā)光元件中，在發(fā)光層中發(fā)出的光入射到其他膜的情況下，如果以某角度以上入射，則在發(fā)光層與其他膜的界面發(fā)生全反射。因此，只能利用發(fā)出的光的一部分。近年來，為了提高光的取出效率，提出了在折射率低的半透明電極的外側(cè)設(shè)置了折射率高的“封蓋層”的發(fā)光元件(例如參照非專利文獻(xiàn)2及3)。

就頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件中的封蓋層的效果而言，在將Ir(ppy)₃用于發(fā)光材料的發(fā)光元件中，在無封蓋層的情況下電流效率為38cd/A，相對(duì)于此，在使用了膜厚60nm的ZnSe作為封蓋層的發(fā)光元件中，為64cd/A，確認(rèn)了約1.7倍的效率提高。另外，示出了半透明電極與封蓋層的透射率的極大值與效率的極大值未必一致，示出了光的取出效率的最大值由干涉效應(yīng)所決定(例如參照非專利文獻(xiàn)3)。

目前為止，提出了在封蓋層的形成中使用精細(xì)度高的金屬掩模，如果是高溫條件下的使用，存在著如下問題：在金屬掩模中由于熱而產(chǎn)生變形，由此對(duì)位精度降低。因此，就ZnSe而言，熔點(diǎn)高達(dá)1100℃以上(例如參照非專利文獻(xiàn)3)，如果是精細(xì)度高的金屬掩模，不能在正確的位置蒸鍍，有可能對(duì)發(fā)光元件自身也產(chǎn)生影響。進(jìn)而，即使是采用濺射法的成膜，也會(huì)對(duì)發(fā)光元件產(chǎn)生影響，因此以無機(jī)物作為構(gòu)成材料的封蓋層不適于使用。

此外，作為調(diào)整折射率的封蓋層，有時(shí)使用三(8-羥基喹啉)鋁(以下簡寫為Alq₃)(例如參照非專利文獻(xiàn)2)，已知Alq₃為一般作為綠色發(fā)光材料或電子傳輸材料而使用的有機(jī)EL材料，在青色發(fā)光材料中所使用的450nm附近具有弱的吸收，因此，在青色發(fā)光元件的情況下，也有色純度降低及光的取出效率降低的問題。

另外，如果是用以往的封蓋層所制作的元件，太陽光的波長400nm至410nm的光通過，對(duì)元件內(nèi)部的材料產(chǎn)生影響，也存在色純度及光的取出效率降低的問題。