[發明專利]黑色聚酰亞胺薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201980007464.6 | 申請日： | 2019-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN111566151B | 公開（公告）日： | 2022-11-25 |
| 發明（設計）人： | 金紀勛;李吉男;崔禎烈 | 申請（專利權）人： | 韓國愛思開希可隆PI股份有限公司 |
| 主分類號： | C08J5/18 | 分類號： | C08J5/18;C08L79/08;C08K7/18;C08K3/04 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 李光輝;馬芬 |
| 地址： | 韓國忠*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 黑色 聚酰亞胺 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種聚酰亞胺薄膜，其特征在于，包含：
100重量份的聚酰亞胺樹脂；
1重量份至5重量份的第一屏蔽性填料，平均粒徑為0.1μm至1μm；以及
0.3重量份至1重量份的第二屏蔽性填料，相對于水平方向的平均粒徑為5μm至15μm，相對于垂直方向的平均粒徑為1nm至10nm，
可見光區域中的透光率為7％以下，聚酰亞胺薄膜的縱向和/或橫向下測量的模量為3GPa以上，聚酰亞胺薄膜的厚度為8.0μm以下，
所述第一屏蔽性填料為炭黑，
所述第二屏蔽性填料為石墨烯。
2.根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述第一屏蔽性填料的球形度為0.8以上。
3.根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述第二屏蔽性填料的含量與所述第一屏蔽性填料的含量的比率為100％至1600％。
4.根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亞胺薄膜在縱向上測量的模量為3GPa以上。
5.根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亞胺薄膜在1.1Ghz頻率上測量的介電常數為5以下。
6.根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亞胺薄膜的厚度為3μm至7.5μm。
7.一種聚酰亞胺薄膜的制備方法，用于制備根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，包括：
步驟(a)，由二酐以及二胺類聚合聚酰胺酸；
步驟(b)，利用研磨機制備平均粒徑為0.1μm至1μm的第一屏蔽性填料，以及相對于水平方向的平均粒徑為5μm至15μm且相對于垂直方向的平均粒徑為1nm至10nm的第二屏蔽性填料；以及
步驟(c)，將所述第一屏蔽性填料和第二屏蔽性填料混合到所述聚酰胺酸，在載體上制膜并進行熱處理以進行酰亞胺化。
8.一種覆蓋膜，其特征在于，包含根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜。
9.一種電子裝置，其特征在于，包含根據權利要求8所述的覆蓋膜。
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