[發明專利]耦合光的光學芯片及其制造方法有效
| 申請號: | 201980006591.4 | 申請日: | 2019-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN112601995B | 公開(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發明(設計)人: | 喬斯特·布洛卡特;馬科·蘭波尼 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/30 | 分類號: | G02B6/30;G02B6/136 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強;李稷芳 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 耦合 光學 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造用于在光學芯片與另一光學器件之間耦合光的光學芯片的方法,其特征在于,所述方法包括:
提供晶圓,所述晶圓包括基板和設置在所述基板上的包層;
蝕刻所述包層,以在蝕刻包層的至少一個側壁上形成光學面;
蝕刻所述基板,以形成至少一個基板側壁,所述基板側壁由與所述光學面成一條直線且相鄰的第一截面構成;
從所述基板的背面去除所述基板的至少一部分,以將晶圓進行切割,使所述光學芯片的所述基板側壁具有與所述光學面成一條直線或從所述光學面凹入的第二截面,其中所述晶圓的所述背面是所述晶圓與所述包層相對的一側。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,
在單個光刻步驟中蝕刻所述包層和所述基板,和/或
所述蝕刻包層用作用于蝕刻所述基板的掩模。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,
通過蝕刻深度為100-500μm,具體為250-350μm,和寬度為10-40μm的溝槽來蝕刻所述基板。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在蝕刻所述基板之后,所述方法還包括:
將所述晶圓從其背面進行刀片切割,形成至少一個光學芯片,所述光學芯片具有光學面和基板側壁,所述基板側壁的所述第二截面從所述光學面凹入。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,
將所述晶圓進行切割,使所述基板側壁的所述第二截面從所述光學面凹入0-100μm,具體凹入0-50μm。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在蝕刻所述包層和所述基板之前,所述方法還包括:
將所述晶圓從其背面削薄,其中
對所述基板的蝕刻包括將整個削薄晶圓蝕刻穿,以形成具有光學面和基板側壁的至少一個光學芯片,所述基板側壁與所述光學面完全成一條直線。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:在蝕刻所述包層和所述基板之后,
將所述晶圓從其背面削薄,從而將所述晶圓進行切割,形成至少一個光學芯片,所述光學芯片具有光學面和基板側壁,所述基板側壁與所述光學面完全成一條直線。
8.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,
將所述晶圓的厚度削薄為100-500μm,具體為250-350μm。
9.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,
將所述晶圓的厚度削薄為100-500μm,具體為250-350μm。
10.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,還包括:
將另一光學器件黏貼到至少所述光學芯片的所述基板側壁的所述光學面和所述第一截面。
11.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,還包括:
將另一光學器件黏貼到至少所述光學芯片的所述基板側壁的所述光學面和所述第一截面。
12.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,還包括:
將另一光學器件黏貼到至少所述光學芯片的所述基板側壁的所述光學面和所述第一截面。
13.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,還包括:
將另一光學器件黏貼到至少所述光學芯片的所述基板側壁的所述光學面和所述第一截面。
14.根據權利要求1至13中任一項所述的方法,其特征在于,
所述基板上的所述包層包括或設置有錐形截面,
蝕刻所述錐形截面,以向所述光學面逐漸變小。
15.一種用于在光學芯片與另一光學器件之間耦合光的光學芯片,其特征在于,所述光學芯片通過權利要求1至14中任一項所述的方法獲得。
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