[發(fā)明專利]等離子處理方法以及等離子處理裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980005139.6
• 申請(qǐng)日: 2019-12-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111801775A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松井都;桑原謙一;臼井建人;小林浩之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立高新技術(shù)
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H01L21/31
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 韓丁

1.一種等離子處理方法，對(duì)成膜于試料的被蝕刻膜進(jìn)行等離子蝕刻，其特征在于，具有：

保護(hù)膜形成工序，在形成于所述試料的圖案的上部選擇性地形成保護(hù)膜，調(diào)整所形成的所述保護(hù)膜的寬度以使得所形成的所述保護(hù)膜的寬度的所述試料的面內(nèi)的分布成為所希望的分布；和

在所述保護(hù)膜形成工序后，對(duì)所述被蝕刻膜進(jìn)行等離子蝕刻的工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于，

所述保護(hù)膜形成工序?qū)男纬捎兴霰Ｗo(hù)膜的所述試料反射的干擾光的光譜進(jìn)行監(jiān)視，基于所述試料的面內(nèi)的所述保護(hù)膜的寬度的分布為所希望的分布的情況下的從所述試料反射的干擾光的光譜的圖案與所監(jiān)視的所述干擾光的光譜的圖案的比較結(jié)果，調(diào)整所述保護(hù)膜的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于，

所述保護(hù)膜形成工序進(jìn)一步調(diào)整所述保護(hù)膜的所述膜厚，以使得所述試料的面內(nèi)的所述保護(hù)膜的膜厚的分布成為所希望的分布。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子處理方法，其特征在于，

所述保護(hù)膜形成工序基于所述被蝕刻膜的所述試料的面內(nèi)的所述保護(hù)膜的膜厚的分布為所希望的分布的情況下的從形成有所述保護(hù)膜的所述試料反射的所述干擾光的光譜的圖案與所監(jiān)視的所述干擾光的光譜的圖案的比較結(jié)果，進(jìn)一步調(diào)整所形成的所述保護(hù)膜的所述膜厚。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于，

所述圖案是槽的圖案，

所述被蝕刻膜被埋入所述槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子處理方法，其特征在于，

在上部選擇性地形成有所述保護(hù)膜的所述試料上所形成的所述圖案是槽的圖案，

所述被蝕刻膜被埋入所述槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6的任意一項(xiàng)所述的等離子處理方法，其特征在于，

所述所希望的分布是在所述試料的面內(nèi)均勻的分布。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子處理方法，其特征在于，

通過(guò)反復(fù)所述保護(hù)膜形成工序和對(duì)所述被蝕刻膜進(jìn)行等離子蝕刻的工序，對(duì)所述被蝕刻膜進(jìn)行等離子蝕刻直到所希望的深度。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子處理方法，其特征在于，

在所述保護(hù)膜的膜厚飽和的情況下，對(duì)所述被蝕刻膜被等離子蝕刻的處理室進(jìn)行等離子清潔。

10.一種等離子處理裝置，具備：處理室，使用掩模來(lái)對(duì)成膜于試料的被蝕刻膜進(jìn)行等離子蝕刻；高頻電源，提供用于生成等離子的高頻電力；和試料臺(tái)，載置所述試料，

所述等離子處理裝置的特征在于，還具備：

控制部，所述控制部執(zhí)行如下工序：

保護(hù)膜形成工序，在形成于所述試料的圖案的上部選擇性地形成保護(hù)膜，調(diào)整所形成的所述保護(hù)膜的寬度以使得所形成的所述保護(hù)膜的寬度的所述試料的面內(nèi)的分布成為所希望的分布；和在所述保護(hù)膜形成工序后，對(duì)所述被蝕刻膜進(jìn)行等離子蝕刻的工序。

11.一種等離子處理裝置，具備：處理室，使用掩模來(lái)對(duì)成膜于試料的被蝕刻膜進(jìn)行等離子蝕刻；高頻電源，提供用于生成等離子的高頻電力；和試料臺(tái)，載置所述試料，

所述等離子處理裝置的特征在于，還具備：

控制部，所述控制部執(zhí)行如下工序：

保護(hù)膜形成工序，在形成于所述試料的圖案的上部選擇性地形成保護(hù)膜，調(diào)整所形成的所述保護(hù)膜的膜厚以使得所形成的所述保護(hù)膜的膜厚的所述試料的面內(nèi)的分布成為所希望的分布；和在所述保護(hù)膜形成工序后，對(duì)所述被蝕刻膜進(jìn)行等離子蝕刻的工序。