[發明專利]部件的形成方法和基片處理系統

在審

• 申請號: 201980004516.4
• 申請日: 2019-05-10
• 公開（公告）號: CN111133562A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 齋藤道茂;永關一也;金子彰太
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;C23C16/44;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;王昊

1.一種部件的形成方法，其中，所述部件在等離子體處理裝置內使用，所述部件的形成方法的特征在于，包括：

根據所述部件的表面狀態一邊供給該部件的原料一邊對所述原料照射能量束的工序。

2.如權利要求1所述的部件的形成方法，其特征在于：

包括測量所述部件的表面狀態的工序，

照射所述能量束的工序，在執行了測量所述部件的表面狀態的工序后進行。

3.如權利要求1所述的部件的形成方法，其特征在于：

所述部件的表面狀態被測量為三維數據。

4.如權利要求3所述的部件的形成方法，其特征在于：

所述三維數據由非接觸式的三維掃描儀測量。

5.如權利要求1所述的部件的形成方法，其特征在于：

所述原料是粉末狀或者線條狀。

6.如權利要求1所述的部件的形成方法，其特征在于：

所述原料為石英、SiC、Si、鎢的任意者。

7.如權利要求1所述的部件的形成方法，其特征在于：

照射所述能量束的工序為，在所述原料為金屬的情況下照射光學激光或者電子束，在所述原料為所述金屬以外的情況下照射紫外線。

8.如權利要求1所述的部件的形成方法，其特征在于：

所述部件為邊緣環、蓋環、絕緣環和頂部遮擋環的至少任意者。

9.如權利要求1所述的部件的形成方法，其特征在于：

測量所述部件的表面狀態的工序為，測量所述部件的消耗狀態，

照射所述能量束的工序為，根據所述部件的消耗狀態一邊供給該部件的原料一邊對所述原料照射能量束。

10.一種基片處理系統，其特征在于，包括：

處理容器；和

配置于所述處理容器的內部的部件，

所述部件是通過根據所述部件的表面狀態一邊供給所述部件的原料一邊對所述原料照射能量束的工序而形成的部件。

11.如權利要求10所述的基片處理系統，其特征在于：

所述部件是通過在測量了所述部件的表面狀態后，根據所測量的所述部件的表面狀態一邊供給所述部件的原料一邊對所述原料照射能量束的工序而形成的部件。

12.如權利要求10所述的基片處理系統，其特征在于：

所述部件的表面狀態被測量為三維數據。

13.如權利要求12所述的基片處理系統，其特征在于：

所述三維數據由非接觸式的三維掃描儀測量。

14.如權利要求10所述的基片處理系統，其特征在于：

所述原料是粉末狀或者線條狀。

15.如權利要求10所述的基片處理系統，其特征在于：

所述原料是石英、SiC、Si、鎢的任意者。

16.如權利要求10所述的基片處理系統，其特征在于：

照射所述能量束的工序為，在所述原料為金屬的情況下照射光學激光或者電子束，在所述原料為所述金屬以外的情況下照射紫外線。

17.如權利要求10所述的基片處理系統，其特征在于：

所述部件是邊緣環、蓋環、絕緣環和頂部遮擋環的至少任意者。

18.如權利要求10所述的基片處理系統，其特征在于：

測量所述部件的表面狀態的工序為，測量所述部件的消耗狀態，

照射所述能量束的工序為，根據所述部件的消耗狀態一邊供給該部件的原料一邊對所述原料照射能量束。