[發(fā)明專利]蝕刻處理裝置、蝕刻處理方法及檢測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980004087.0
• 申請(qǐng)日: 2019-02-08
• 公開（公告）號(hào): CN111801774B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江藤宗一郎;峯邑浩行;臼井建人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立高新技術(shù)
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李國(guó)華

1.一種蝕刻處理裝置，具備：

受光器，其在蝕刻處理中，接受從處理對(duì)象射出的多個(gè)波長(zhǎng)的光，分別輸出與接受的光的強(qiáng)度相應(yīng)的信號(hào)；

膜厚決定部，其基于從所述受光器輸出的信號(hào)，決定所述處理對(duì)象的膜厚；以及

判定器，其通過(guò)比較所述膜厚決定部所決定的所述處理對(duì)象的膜厚與閾值，來(lái)判定所述蝕刻處理的終點(diǎn)，

所述膜厚決定部基于算出光量值和參照光量值來(lái)求出變化率，該算出光量值是對(duì)規(guī)定的取樣時(shí)間的各時(shí)刻中的來(lái)自所述受光器的各波長(zhǎng)的信號(hào)進(jìn)行平滑化運(yùn)算而得到的值，該參照光量值是根據(jù)所述取樣時(shí)間以前的參照時(shí)間內(nèi)的所述算出光量值而決定的值，

基于所述取樣時(shí)間的各時(shí)刻中的來(lái)自所述受光器的信號(hào)以及所述變化率，按照各波長(zhǎng)求出修正光量值，

進(jìn)而基于所述修正光量值，決定所述取樣時(shí)間內(nèi)的所述處理對(duì)象的膜厚。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻處理裝置，其中，

所述膜厚決定部通過(guò)對(duì)來(lái)自所述受光器的各波長(zhǎng)的信號(hào)進(jìn)行總計(jì)、平均、加權(quán)累計(jì)或加權(quán)平均來(lái)進(jìn)行所述平滑化運(yùn)算，求出所述算出光量值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻處理裝置，其中，

所述膜厚決定部將對(duì)所述算出光量值進(jìn)行了平均化的光量值、通過(guò)對(duì)所述算出光量值進(jìn)行多項(xiàng)式近似而得到的所述取樣時(shí)間內(nèi)的光量值、或者從所述算出光量值去除高頻成分而得到的光量值決定為所述參照光量值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻處理裝置，其中，

所述膜厚決定部求出所述修正光量值的微分波形圖案，將所述修正光量值的微分波形圖案與將光量值的微分波形圖案和膜厚預(yù)先建立了對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行對(duì)照，由此來(lái)決定所述處理對(duì)象的膜厚。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻處理裝置，其中，

所述膜厚決定部能夠變更為了求出所述算出光量值而使用的光的波長(zhǎng)的數(shù)量。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻處理裝置，其中，

所述膜厚決定部在所述受光器的輸出中去除暗電流噪聲。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻處理裝置，其中，

所述膜厚決定部在所述受光器的輸出中不去除暗電流噪聲。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻處理裝置，其中，

所述算出光量值固定或者逐漸減少。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻處理裝置，其中，

所述膜厚決定部去除來(lái)自所述受光器的信號(hào)所包含的脈沖狀的噪聲成分或階梯狀的噪聲成分。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻處理裝置，其中，

所述膜厚決定部能夠變更所述參照時(shí)間的定時(shí)和長(zhǎng)度中的至少一方。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻處理裝置，其中，

所述膜厚決定部固定所述參照時(shí)間。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻處理裝置，其中，

所述受光器接受從光源部射出并被所述處理對(duì)象反射的光。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻處理裝置，其中，

該蝕刻處理裝置具有處理部，該處理部使真空容器內(nèi)部產(chǎn)生等離子體，對(duì)所述處理對(duì)象進(jìn)行蝕刻處理，

所述受光器接受從所述等離子體射出并被所述處理對(duì)象反射的光。