[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體發(fā)光元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980003929.0 | 申請日： | 2019-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN111052416B | 公開（公告）日： | 2023-06-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李慧文;張東炎;潘冠甫;黃少華;王篤祥 | 申請（專利權(quán)）人： | 泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/30 | 分類號： | H01L33/30;H01L33/06;H01L33/38;H01L27/15 |
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| 地址： | 362343 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體 發(fā)光 元件 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其包括半導(dǎo)體發(fā)光序列，半導(dǎo)體發(fā)光序列包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和兩者之間的發(fā)光層；具有與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層電性連接的第一電極，與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層電性連接的第二電極；
其特征在于：所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層包括鋁鎵銦磷窗口層，鋁鎵銦磷窗口層作為第一電極與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層形成接觸的歐姆接觸層，鋁鎵銦磷窗口層與第一電極形成接觸的面的相反面作為出光表面，出光表面被不平整化處理；
所述鋁鎵銦磷窗口層中具有低電阻區(qū)域，低電阻區(qū)域位于第一電極形成接觸的周圍，并且電阻低于所述鋁鎵銦磷窗口層中的其它區(qū)域；
所述低電阻區(qū)域自第一電極與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層形成接觸的位置延伸至鋁鎵銦磷窗口層的出光表面，不平整度不同于周圍非低電阻區(qū)域的不平整度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述的低電阻區(qū)域是通過擴散金屬或者離子注入的方式形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述的低電阻區(qū)域是通過第一電極具有的擴散金屬擴散至所述鋁鎵銦磷窗口層中形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述的離子注入的元素為帶正電荷的離子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述的第一電極和第二電極位于半導(dǎo)體發(fā)光序列的同側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層一側(cè)具有多個開口，多個開口延伸至穿過第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、發(fā)光層至開口底部位于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的鋁鎵銦磷窗口層，第一電極位于第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層一側(cè)并延伸至開口的底部形成多個第一電接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述第二電極覆蓋第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層側(cè)，并露出所述的多個開口。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：第二電極與第一電極之間、第一電極與多個開口側(cè)壁之間通過絕緣層絕緣隔離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述的鋁鎵銦磷窗口層為Alx1Ga1-x1InP，0.4＜x1≤1。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：低電阻區(qū)域與周圍的鋁鎵銦磷窗口層非低電阻區(qū)域為同質(zhì)區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述的鋁鎵銦磷窗口層為Alx1Ga1-x1InP，x1介于0.6～0.8，厚度為2～6μm。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層包括第二窗口層，所述的第二電極與第二窗口層之間通過多個接觸點形成多個第二電接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：任意一個第二電接觸與臨近一個第一電接觸的距離為10～30um。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或者13所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：任意兩個相鄰第二電接觸之間的間距為5～40um，任意兩個相鄰第一電接觸之間的間距為30～100um。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：所述鋁鎵銦磷窗口層的方塊電阻為0.01～1Ω/□。
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