[發明專利]焊料接合部

在審

• 申請號: 201980003606.1
• 申請日: 2019-08-07
• 公開（公告）號: CN111630646A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 日野英治;澤渡広信
• 申請（專利權）人: JX金屬株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;B23K1/00;H05K3/34;B23K35/26;C22C12/00
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;何晶

1.一種接合部，其使UBM與焊料合金接合，自UBM側依序含有下述的層而成：

自UBM側延續的Ni層、

NiSn合金層、

(Cu、Ni、Pd)αSn合金層、

BiSn合金層、及

朝焊料合金側延續的Bi層。

2.根據權利要求1所述的接合部，其中，NiSn合金層含有Ni、Sn及P，

在NiSn合金層中，與Ni層的邊界處的Ni含量大于與(Cu、Ni、Pd)αSn合金層的邊界處的Ni含量，

在NiSn合金層中，與Ni層的邊界處的Sn含量小于與(Cu、Ni、Pd)αSn合金層的邊界處的Sn含量，

在NiSn合金層中，與Ni層的邊界處的Sn含量為0.4摩爾％以下，

在NiSn合金層中，與Ni層的邊界處的P含量大于與(Cu、Ni、Pd)αSn合金層的邊界處的P含量，

在NiSn合金層中，與(Cu、Ni、Pd)αSn合金層的邊界處的P含量為0.5摩爾％以下。

3.根據權利要求1或2所述的接合部，其中，NiSn合金層含有Ni、Sn及P，

在NiSn合金層中，距與Ni層的邊界的各距離處的Ni含量處于21摩爾％～83摩爾％的范圍，

在NiSn合金層中，距與Ni層的邊界的各距離處的Sn含量處于0.2摩爾％～48摩爾％的范圍，

在NiSn合金層中，距與Ni層的邊界的各距離處的P含量處于0.1摩爾％～10摩爾％的范圍。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的接合部，其中，在NiSn合金層中，與(Cu、Ni、Pd)αSn合金層的邊界處的Bi含量為2摩爾％以下。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的接合部，其中，在NiSn合金層中，距與Ni層的邊界的各距離處的Bi含量處于0.2摩爾％～2摩爾％的范圍。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的接合部，其中，NiSn合金層的厚度處于0.03～0.1[μm]的范圍。

7.根據權利要求2至6中任一項所述的接合部，其中，在NiSn合金層中，與Ni層的邊界處的Cu含量小于與(Cu、Ni、Pd)αSn合金層的邊界處的Cu含量，

在NiSn合金層中，與Ni層的邊界處的Cu含量為4摩爾％以下。

8.根據權利要求2至7中任一項所述的接合部，其中，NiSn合金層進而含有Pd，

在NiSn合金層中，與Ni層的邊界處的Pd含量小于與(Cu、Ni、Pd)αSn合金層的邊界處的Pd含量，

在NiSn合金層中，與Ni層的邊界處的Pd含量為3摩爾％以下。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的接合部，其中，Ni層在距與NiSn合金層的邊界0.2[μm]以內的各距離處的Bi含量均為0.2摩爾％以下。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的接合部，其中，(Cu、Ni、Pd)αSn合金層含有Cu、Ni、Pd及Sn，

在(Cu、Ni、Pd)αSn合金層中，距與NiSn合金層的邊界的各距離處的Cu含量處于10摩爾％～22摩爾％的范圍，

在(Cu、Ni、Pd)αSn合金層中，距與NiSn合金層的邊界的各距離處的Ni含量處于13摩爾％～21摩爾％的范圍，

在(Cu、Ni、Pd)αSn合金層中，距與NiSn合金層的邊界的各距離處的Pd含量處于5摩爾％～19摩爾％的范圍，

在(Cu、Ni、Pd)αSn合金層中，距與NiSn合金層的邊界的各距離處的Sn含量處于44摩爾％～55摩爾％的范圍。