[發明專利]一種發光二極管芯片及其制備方法在審
| 申請號： | 201980003205.6 | 申請日： | 2019-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN111201617A | 公開（公告）日： | 2020-05-26 |
| 發明（設計）人： | 黃嘉宏;楊順貴;林雅雯;黃國棟 | 申請（專利權）人： | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/20;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種發光二極管芯片，包括：襯底層，所述襯底層的表面依次設置有N型半導體層、發光層、P型半導體層及電極，其特征在于，所述襯底層上開設有多個貫穿所述襯底層的預設圖形，以通過所述預設圖形在所述襯底層形成的通道反射出預設波長的光。
2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述預設圖形的內表面設置有反射層。
3.根據權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述反射層的材質為金屬，所述金屬為鋁、銅和金中的任一種。
4.根據權利要求1-3任意一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述預設圖形的寬度為所述發光層所產生光的波長的整數倍，且所述預設圖形的寬度小于所述發光二極管芯片的直徑。
5.根據權利要求4所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述預設圖形為圓形和/或多邊形。
6.根據權利要求5所述的發光二極管芯片，其特征在于，任意兩個相鄰的所述預設圖形之間的距離小于所述發光二極管芯片的直徑。
7.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述電極包括P電極及N電極，所述P電極設于所述P型半導體層的表面，所述N電極設于所述N型半導體層遠離所述襯底層的表面。
8.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述發光層為多量子阱有源層。
9.一種發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，方法包括步驟：
在襯底層表面依次制備N型半導體層、發光層、P型半導體層，以及在所述N型半導體層設置P電極，以及在所述N型半導體層設置N電極；
在所述襯底層上制備出貫穿所述襯底層的預設圖形，以通過所述預設圖形在所述襯底層形成的通道反射出預設波長的光。
10.根據權利要求9所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，還包括步驟：在所述預設圖形的內表面上鍍一金屬反射層。
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