[發明專利]顯示基板、顯示面板及拼接屏有效
| 申請號: | 201980002629.0 | 申請日: | 2019-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN113424323B | 公開(公告)日: | 2023-04-04 |
| 發明(設計)人: | 趙蛟;肖麗;玄明花;鄭皓亮;劉冬妮;劉靜;齊琪 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H10K59/12;H10K59/121;H10K59/124;H10K59/131 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亞;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 拼接 | ||
一種顯示基板、顯示面板及拼接屏,屬于顯示技術領域。顯示基板,劃分為顯示區(AA)和綁定區(BA);所述顯示基板包括:基底(10),設置在基底(10)上,且對應顯示區(AA)的像素驅動電路;其中,顯示基板還包括:設置在基底(10)上的層間絕緣層(4)和信號引入線(5);信號引入線(5)至少包括位于層間絕緣層(4)背離基底(10)一側的第一子信號引入線(51);第一子信號引入線(51)與綁定區(BA)的第一連接焊盤(91)連接,用于將外部信號引入至像素驅動電路;層間絕緣層(4)包括多層子絕緣層(41,42,43,44),且多層子絕緣層(41,42,43,44)在靠近顯示區(AA)靠近綁定區(BA)的位置限定出多級臺階結構。
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種顯示基板、顯示面板及拼接屏。
背景技術
目前,微型發光二極管(Micro?Light?Emitting?Diode,Micro?LED)顯示技術正在日新月異地發展,由于其突出的優點:體積微型、低耗電、高色彩飽和度、反應速度快、壽命長等吸引了廣大科技工作者的投入研究。但由于巨量轉移技術還沒有發展成熟,使得MicroLED顯示器在高分辨率、大尺寸上的發展受到了阻礙。針對現有巨量轉移技術的能力對應的是電視級及巨幕顯示,通過無縫拼接顯示技術可以彌補當下巨量轉移技術的不足實現大屏顯示。在Micro?LED拼接顯示屏中要實現真正無縫拼接需要通過側接線(Side?wiring)技術將顯示面板正面信號例如數據電壓信號和源極驅動器的端連接焊盤引接到顯示面板背面進行芯片綁定(IC?bonding)等連接,但Side?wiring?bonding良率是目前制約其快速發展的一個重要原因。
發明內容
本發明實施例旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提供一種顯示基板、顯示面板及拼接屏。
第一方面,本發明實施例提供一種顯示基板,劃分為顯示區和綁定區;所述顯示基板包括:基底,設置在所述基底上,且對應所述顯示區的像素驅動電路;其中,所述顯示基板還包括:設置在所述基底上的層間絕緣層和信號引入線;
所述信號引入線至少包括位于所述層間絕緣層背離所述基底一側的第一子信號引入線;所述第一子信號線與所述綁定區的第一連接焊盤連接,用于將外部信號引入至所述像素驅動電路;
所述層間絕緣層包括多層子絕緣層,且所述多層子絕緣層在靠近所述顯示區靠近所述綁定區的位置限定出多級臺階結構。
其中,所述像素驅動電路至少包括設置在所述基底上的開關晶體管、驅動晶體管,以及與開關晶體管的第一極連接數據線;所述層間絕緣層包括依次設置所述數據線背離所述一側的四層子絕緣層,分別為第一子絕緣層、第二子絕緣層、第三子絕緣層、第四子絕緣層;
所述第一子絕緣層和所述第三子絕緣層僅位于所述顯示區;所述第三子絕緣層靠近所述綁定區的邊緣在所述基底上的正投影,被限定在所述第一子絕緣層在所述基底上的正投影內,且與所述述第一子絕緣層靠近所述綁定區的邊緣存在一定距離;
所述第一子信號引入線設置在所述第三子絕緣層背離所述基底的一側;所述信號引入線信號引入線還包括位于所述顯示區的第二子信號引入線;所述第二信號引入線位于所述第二子絕緣層和所述第三子絕緣層之間,并通過貫穿所述第一子絕緣層和所述第二子絕緣層的第一過孔與所述數據線連接;所述第一子信號引入線通過貫穿所述第三子絕緣層和所述第四子絕緣層的第二過孔與所述第二信號引入線連接。
其中,所述像素驅動電路還包括:位于所述第四子絕緣層背離所述基底的一側還設置有第一襯墊和第二襯墊;在所述第二子絕緣層和所述第三子絕緣層之間還設置有第一連接電極;所述第一連接電極通過貫穿所述第一子絕緣層和所述第二子絕緣層的第三過孔與所述驅動晶體管的第一極連接,以及通過貫穿第三子絕緣層和所述第四子絕緣層的第四過孔與第一襯墊;所述第一襯墊與發光器件的第一極連接;所述第二襯墊與所述發光器件的第二極連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





