[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201980000815.0
• 申請日: 2019-06-11
• 公開（公告）號: CN110972507B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 王國英;宋振
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H10K59/60
• 分類號: H10K59/60;G09G3/3208;H10K59/10
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 張海強;王莉莉

本公開提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域，所述陣列基板包括：襯底基板；光敏元件，位于所述襯底基板與發光器件之間，被配置為感測所述發光器件發出的光，并根據所述發光器件發出的光產生感測信號；電容器，被配置為存儲所述感測信號；和感測晶體管，位于所述襯底基板與所述光敏元件之間，被配置為將所述感測信號傳輸至感測線，其中，所述感測晶體管在所述襯底基板上的正投影與所述光電二級管在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。

技術領域

本公開涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術

目前，在顯示面板出廠時需要對顯示面板進行一次光學補償。為了實現對顯示面板的光學補償，可以在顯示面板的陣列基板中設置光敏元件與感測晶體管。

相關技術中，陣列基板中的光敏元件與感測晶體管各占用版圖面積的一部分，互相沒有交疊。

發明內容

根據本公開實施例的一方面，提供一種陣列基板，包括：襯底基板；光敏元件，位于所述襯底基板與發光器件之間，被配置為感測所述發光器件發出的光，并根據所述發光器件發出的光產生感測信號；電容器，被配置為存儲所述感測信號；和感測晶體管，位于所述襯底基板與所述光敏元件之間，被配置為將所述感測信號傳輸至感測線，其中，所述感測晶體管在所述襯底基板上的正投影與所述光電二級管在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。

在一些實施例中，所述陣列基板包括覆蓋所述感測晶體管的第一電介質層；所述電容器包括：第一金屬層，與信號線連接，位于所述第一電介質層遠離所述襯底基板的一側；第二電介質層，位于所述第一電介質層和所述第一金屬層遠離所述襯底基板的一側，其中，所述第一金屬層在所述襯底基板上的正投影在所述第二電介質層在所述襯底基板上的正投影之內；和第二金屬層，位于所述第二電介質層遠離所述襯底基板的一側，所述第二金屬層通過貫穿所述第二電介質層和所述第一電介質層的第一過孔與所述感測晶體管的第一電極連接；其中，所述光敏元件位于所述第二金屬層遠離所述襯底基板的一側。

在一些實施例中，所述第二金屬層部分地位于所述第一過孔中、且與所述感測晶體管的第一電極接觸。

在一些實施例中，所述光敏元件包括P型半導體層和位于所述P型半導體層與所述第二金屬層之間的N型半導體層。

在一些實施例中，所述陣列基板還包括：平坦化層，位于所述第二電介質層和所述P型半導體層遠離所述襯底基板的一側，所述平坦化層具有延伸到所述P型半導體層的第一開口；電極層，部分地位于所述第一開口中、且與所述P型半導體層接觸，所述電極層通過貫穿所述平坦化層和所述第二電介質層的第二過孔與所述第一金屬層連接。

在一些實施例中，所述電極層部分地位于所述第二過孔中、且與所述第一金屬層接觸。

在一些實施例中，所述感測晶體管包括：有源層；柵極電介質層，位于所述有源層遠離所述襯底基板的一側；柵極，位于所述柵極電介質層遠離所述有源層的一側；層間電介質層，位于所述柵極電介質層遠離所述襯底基板的一側、且覆蓋所述柵極，所述層間電介質層具有延伸到所述有源層的第二開口和第三開口；第二電極，至少部分地位于所述第三開口中、且與所述有源層接觸；其中，所述第一電極至少部分地位于所述第二開口中、且與所述有源層接觸。

在一些實施例中，所述光敏元件還包括本征半導體層，位于所述P型半導體層與所述N型半導體層之間。

在一些實施例中，所述P型半導體層、所述N型半導體層和所述本征半導體層中的至少一層的材料包含氫。

在一些實施例中，所述陣列基板包括驅動晶體管，位于所述襯底基板與所述發光器件之間；所述驅動晶體管在所述襯底基板上的正投影與所述感測晶體管在所述襯底基板上的正投影間隔開。

在一些實施例中，所述感測晶體管在所述襯底基板上的正投影在所述光電二級管在所述襯底基板上的正投影之內。