[發明專利]三維存儲器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201980000413.0
• 申請日: 2019-02-26
• 公開（公告）號: CN110024126B
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 華文宇;劉藩東;夏志良
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578;H01L27/11563
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝

1.一種三維存儲器件，包括：

襯底；

存儲堆疊體，包括在所述襯底上的交錯的導電層和電介質層；

階梯結構，在所述存儲堆疊體的一側上；

階梯接觸部，在所述階梯結構中；以及

多個虛設源極結構，每一個虛設源極結構垂直延伸穿過所述階梯結構，所述多個虛設源極結構圍繞所述階梯接觸部；

圍繞所述階梯接觸部的多個虛設溝道結構，每一個虛設溝道結構垂直延伸穿過所述階梯結構。

2.如權利要求1所述的三維存儲器件，其中，所述多個虛設源極結構設置為與所述階梯接觸部相鄰。

3.如權利要求1或2所述的三維存儲器件，其中，所述多個虛設源極結構中的至少兩個虛設源極結構到所述階梯接觸部的橫向距離標稱上相等。

4.如權利要求1或2所述的三維存儲器件，其中，所述多個虛設源極結構到所述階梯接觸部的橫向距離標稱上相等。

5.如權利要求1或2所述的三維存儲器件，其中，在平面圖中，所述多個虛設源極結構中的至少兩個虛設源極結構布置在沿著第一橫向方向延伸的第一行中。

6.如權利要求5所述的三維存儲器件，其中，在所述平面圖中，至少兩個其他虛設源極結構布置在第二行中，所述第二行沿著正交于所述第一橫向方向的第二橫向方向延伸。

7.如權利要求5所述的三維存儲器件，其中，所述多個虛設溝道結構到所述階梯接觸部的橫向距離標稱上相等。

8.如權利要求5所述的三維存儲器件，其中，在所述平面圖中，所述多個虛設源極結構與所述多個虛設溝道結構交錯。

9.如權利要求6所述的三維存儲器件，其中，在所述平面圖中，所述多個虛設溝道結構中的至少兩個虛設溝道結構布置在第三行中，所述第三行沿著與所述第一橫向方向或所述第二橫向方向平行的第三橫向方向延伸。

10.如權利要求1或2所述的三維存儲器件，包括第一階梯接觸部和第二階梯接觸部，其中，至少一個虛設源極結構設置于所述第一階梯接觸部和所述第二階梯接觸部之間。

11.如權利要求10所述的三維存儲器件，其中，至少兩個虛設源極結構設置于所述第一階梯接觸部和所述第二階梯接觸部之間。

12.如權利要求1或2所述的三維存儲器件，其中，至少一個虛設源極結構包括與所述襯底接觸的導體層。

13.如權利要求12所述的三維存儲器件，其中，所述至少一個虛設源極結構包括沿著所述導體層的側壁圍繞所述導體層的間隔物，所述間隔物包括電介質材料。

14.如權利要求1或2所述的三維存儲器件，其中，所述多個虛設源極結構與所述襯底接觸。

15.如權利要求1或2所述的三維存儲器件，其中，所述多個虛設源極結構不與所述襯底接觸。

16.一種三維存儲器件，包括：

襯底；

存儲堆疊體，包括在所述襯底上的交錯的導電層和電介質層；

階梯結構，在所述存儲堆疊體的一側上；

虛設溝道結構的陣列，每一個虛設溝道結構垂直延伸穿過所述階梯結構；以及

多個虛設源極結構，每一個虛設源極結構垂直延伸穿過所述階梯結構，其中，所述虛設溝道結構的子集由所述多個虛設源極結構圍繞。

17.如權利要求16所述的三維存儲器件，其中，至少一個虛設溝道結構由至少四個虛設源極結構圍繞。