[發(fā)明專利]顯示基板、顯示設備、制造顯示基板的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980000265.2 | 申請日: | 2019-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN112005376B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張嵩;石領 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 制造 方法 | ||
1.一種具有顯示區(qū)域和周邊區(qū)域的顯示基板,包括:
基底基板;
第一電力焊盤,其位于所述基底基板上,所述第一電力焊盤包括第一部分,所述第一部分位于所述周邊區(qū)域中并沿著所述顯示基板的電力線接口側;
鈍化層,其位于所述第一電力焊盤的遠離所述基底基板的一側;
像素限定層,其位于所述鈍化層的遠離所述基底基板的一側,用于限定多個子像素孔;以及
封裝層,其位于所述像素限定層的遠離所述基底基板的一側;
其中,所述顯示基板包括第一凹槽,所述第一凹槽貫穿所述鈍化層和所述像素限定層中的一者或組合,從而暴露所述第一電力焊盤位于所述周邊區(qū)域中的所述第一部分的表面;并且
所述封裝層延伸至所述第一凹槽中并且與所述第一部分的所述表面直接接觸,從而封裝所述顯示基板;
所述第一電力焊盤還包括至少一個第二部分,所述至少一個第二部分與所述第一部分連接并且從所述第一部分遠離所述顯示區(qū)域地延伸;
所述顯示基板還包括第二凹槽,所述第二凹槽貫穿所述鈍化層和所述像素限定層中的一者或組合,從而暴露所述第一電力焊盤位于所述周邊區(qū)域中的所述至少一個第二部分的表面;并且
所述封裝層延伸至所述第二凹槽中并且與所述至少一個第二部分的所述表面直接接觸;
所述第一部分在所述基底基板上的正投影完全覆蓋所述第一凹槽在所述基底基板上的投影;
所述顯示基板還包括:第二電力焊盤,位于所述基底基板上并且位于所述周邊區(qū)域中,所述第二電力焊盤與所述第一電力焊盤間隔開;
其中,所述第二電力焊盤包括位于所述顯示基板的電力線接口側的至少一個第三部分,所述至少一個第三部分被所述像素限定層和所述鈍化層中的一者或組合至少部分地覆蓋;
所述至少一個第三部分位于所述第一部分的遠離所述顯示區(qū)域地延伸的一側,所述第一部分和所述至少一個第三部分中的對應一個由第一間隙間隔開;并且
所述第一凹槽位于所述第一間隙的更靠近所述顯示區(qū)域的一側;
所述顯示基板還包括第三凹槽,所述第三凹槽貫穿所述鈍化層和所述像素限定層中的一者或組合,從而暴露所述第一電力焊盤位于所述周邊區(qū)域中的所述至少一個第二部分的表面;
所述封裝層包括第一無機封裝子層,所述第一無機封裝子層延伸至所述第三凹槽中并且與所述至少一個第二部分的所述表面直接接觸;
在與所述第三凹槽對應的區(qū)域中,所述封裝層還包括:第二無機封裝子層,其位于所述第一無機封裝子層的遠離所述基底基板的一側,所述第二無機封裝子層與所述第一無機封裝子層直接接觸;
所述封裝層包括有機封裝子層,所述有機封裝子層覆蓋所述第一凹槽和所述第二凹槽;所述第三凹槽上不存在所述有機封裝子層,
所述有機封裝子層位于所述第一無機封裝子層遠離所述基底基板的一側,所述第二無機封裝子層位于所述有機封裝子層遠離所述第一無機封裝子層的一側。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其中,所述封裝層完全覆蓋所述第一部分的所述表面。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其中,所述第一部分包括:第一側,其遠離所述基底基板;第二側,其與所述第一側相對并且更靠近所述基底基板;第三側,其連接所述第一側和所述第二側并且更靠近所述顯示區(qū)域;以及第四側,其連接所述第一側和所述第二側,所述第四側與所述第三側相對并且遠離所述顯示區(qū)域;
所述第一部分的所述第四側被所述像素限定層和所述鈍化層中的一者或組合覆蓋;并且
所述第一凹槽暴露所述第一側的一部分。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其中,所述第四側具有凹陷表面。
5.根據權利要求4所述的顯示基板,其中,所述第一部分包括在所述第四側上過蝕刻的至少一個子層,從而形成所述凹陷表面。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的顯示基板,其中,所述第一無機封裝子層延伸至所述第一凹槽中并且與所述第一部分的所述表面直接接觸。
7.根據權利要求1至5中任一項所述的顯示基板,其中,
所述至少一個第二部分被所述像素限定層和所述鈍化層中的一者或組合至少部分地覆蓋。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





