[發(fā)明專(zhuān)利]集成電路封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980000233.2
• 申請(qǐng)日: 2019-01-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109863596B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳鵬;周厚德;張保華;顧超
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/18;H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367
• 代理公司: 北京永新同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝

1.一種集成電路(IC)封裝結(jié)構(gòu)，包括：

封裝襯底；

一個(gè)或多個(gè)管芯，所述一個(gè)或多個(gè)管芯設(shè)置在所述封裝襯底上；

包封材料，所述包封材料設(shè)置在所述封裝襯底上，并被配置為將所述一個(gè)或多個(gè)管芯包封在所述封裝襯底上；

至少一個(gè)溝槽，所述至少一個(gè)溝槽設(shè)置在所述包封材料中；以及

散熱結(jié)構(gòu)，其中，所述散熱結(jié)構(gòu)的至少一部分設(shè)置在所述至少一個(gè)溝槽中并且與所述一個(gè)或多個(gè)管芯隔離，所述散熱結(jié)構(gòu)的所述至少一部分是通過(guò)在所述至少一個(gè)溝槽中形成漿料并對(duì)所述漿料執(zhí)行固化過(guò)程形成的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述散熱結(jié)構(gòu)的傳熱系數(shù)高于所述包封材料的傳熱系數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述包封材料將所述散熱結(jié)構(gòu)與所述一個(gè)或多個(gè)管芯隔離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述散熱結(jié)構(gòu)包括：

設(shè)置在所述至少一個(gè)溝槽中的第一部分；以及

設(shè)置在所述包封材料的表面上的第二部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IC封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述第一部分與所述第二部分直接連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IC封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述第二部分的材料成分與所述第一部分的材料成分相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的IC封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述第二部分的材料成分與所述第一部分的材料成分不同。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的IC封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述第一部分包括第一金屬顆粒，所述第二部分包括第二金屬顆粒，并且每個(gè)所述第二金屬顆粒的尺寸大于每個(gè)所述第一金屬顆粒的尺寸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述包封材料包括環(huán)氧模塑料(EMC)。

10.一種集成電路(IC)封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

將一個(gè)或多個(gè)管芯設(shè)置在封裝襯底上；

在所述封裝襯底上形成包封材料，其中，所述包封材料被配置為將所述一個(gè)或多個(gè)管芯包封在所述封裝襯底上；

在所述包封材料中形成至少一個(gè)溝槽，所述至少一個(gè)溝槽與所述一個(gè)或多個(gè)管芯隔離；以及

在所述包封材料上形成散熱結(jié)構(gòu)，其中，在所述至少一個(gè)溝槽中形成所述散熱結(jié)構(gòu)的至少一部分。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的IC封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，形成所述散熱結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述至少一個(gè)溝槽中形成第一漿料；以及

對(duì)所述第一漿料執(zhí)行第一固化過(guò)程，以形成所述散熱結(jié)構(gòu)的第一部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的IC封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，形成所述散熱結(jié)構(gòu)的步驟還包括：

在所述至少一個(gè)溝槽中形成所述第一漿料之后在所述包封材料的表面上形成第二漿料。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的IC封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，形成所述散熱結(jié)構(gòu)的步驟還包括：

對(duì)所述第二漿料執(zhí)行第二固化過(guò)程，以在所述包封材料的所述表面上形成所述散熱結(jié)構(gòu)的第二部分，其中，在所述第一固化過(guò)程之后形成所述第二漿料。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的IC封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，在所述第一固化過(guò)程之前形成所述第二漿料，并且所述第二漿料通過(guò)所述第一固化過(guò)程在所述包封材料的所述表面上固化成所述散熱結(jié)構(gòu)的第二部分。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的IC封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其中，所述第二漿料的材料成分與所述第一漿料的材料成分相同。