[實(shí)用新型]鏈路增益控制裝置和TDD設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922500964.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN210927623U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 顏光耀;褚兆文;陳觀(guān)玉;李澤期 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 京信通信系統(tǒng)(中國(guó))有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H04B1/40 | 分類(lèi)號(hào): | H04B1/40;H03G3/20 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務(wù)所 11330 | 代理人: | 劉延喜 |
| 地址: | 510663 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 增益 控制 裝置 tdd 設(shè)備 | ||
1.一種鏈路增益控制裝置,用于TDD設(shè)備,其特征在于,包括:功率源電路、功率檢測(cè)電路、耦合單元和射頻開(kāi)關(guān)單元;
所述功率源電路分別連接至所述射頻開(kāi)關(guān)單元和耦合單元,所述耦合單元連接在所述TDD設(shè)備的射頻電路與濾波器之間,所述功率檢測(cè)電路分別連接所述射頻開(kāi)關(guān)單元和耦合單元;
測(cè)試信號(hào)通過(guò)所述射頻開(kāi)關(guān)單元接通至所述射頻電路的下行鏈路,并通過(guò)所述耦合單元耦合至所述功率檢測(cè)電路,或者所述測(cè)試信號(hào)通過(guò)所述耦合單元耦合至所述射頻電路的上行鏈路,并通過(guò)所述射頻開(kāi)關(guān)單元接通至所述功率檢測(cè)電路;
所述功率檢測(cè)電路與所述射頻電路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏈路增益控制裝置,其特征在于,所述射頻開(kāi)關(guān)單元包括第一射頻開(kāi)關(guān)和第二射頻開(kāi)關(guān);
所述第一射頻開(kāi)關(guān)連接所述射頻電路的上行鏈路,所述第二射頻開(kāi)關(guān)連接所述射頻電路的下行鏈路;
下行檢測(cè)中,所述功率源電路輸出所述測(cè)試信號(hào)至所述第二射頻開(kāi)關(guān),所述第二射頻開(kāi)關(guān)將所述測(cè)試信號(hào)接通至所述射頻電路的下行鏈路,并通過(guò)所述耦合單元耦合至所述功率檢測(cè)電路;
上行檢測(cè)中,所述功率源電路產(chǎn)生所述測(cè)試信號(hào)通過(guò)所述耦合單元輸出至所述射頻電路的上行鏈路,所述第一射頻開(kāi)關(guān)將所述測(cè)試信號(hào)從所述射頻電路的上行鏈路接通至所述功率檢測(cè)電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏈路增益控制裝置,其特征在于,所述耦合單元包括上行耦合器和下行耦合器;
所述上行耦合器連接所述射頻電路的上行鏈路,所述下行耦合器連接所述射頻電路的下行鏈路;
下行檢測(cè)中,所述功率源電路產(chǎn)生所述測(cè)試信號(hào)輸出至所述射頻開(kāi)關(guān)單元,所述射頻開(kāi)關(guān)單元將所述測(cè)試信號(hào)接通至所述射頻電路的下行鏈路,并通過(guò)所述下行耦合器耦合至所述功率檢測(cè)模塊;
上行檢測(cè)中,所述功率源模塊產(chǎn)生所述測(cè)試信號(hào)通過(guò)所述上行耦合器輸出至所述射頻電路的上行鏈路,所述射頻開(kāi)關(guān)單元將所述測(cè)試信號(hào)從所述射頻電路的上行鏈路接通至所述功率檢測(cè)模塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鏈路增益控制裝置,其特征在于,所述第一射頻開(kāi)關(guān)還用于接通TDD設(shè)備的數(shù)字電路與射頻電路的上行鏈路;
所述第二射頻開(kāi)關(guān)還用于接通TDD設(shè)備的數(shù)字電路與射頻電路的下行鏈路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏈路增益控制裝置,其特征在于,所述功率源電路包括高頻信號(hào)產(chǎn)生單元、衰減器和第一功率檢測(cè)器;
所述高頻信號(hào)產(chǎn)生單元與所述衰減器連接,所述高頻信號(hào)產(chǎn)生單元、衰減器和第一功率檢測(cè)器分別與處理器連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏈路增益控制裝置,其特征在于,所述功率檢測(cè)電路包括第二功率檢測(cè)器;所述第二功率檢測(cè)器與處理器連接。
7.一種TDD設(shè)備,其特征在于,包括數(shù)字電路、射頻電路、濾波器和如權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的鏈路增益控制裝置;
所述數(shù)字電路通過(guò)所述鏈路增益控制裝置的射頻開(kāi)關(guān)單元與所述射頻電路連接,所述射頻電路通過(guò)所述鏈路增益控制裝置的耦合單元與所述濾波器連接;
所述數(shù)字電路用于產(chǎn)生上行信號(hào)和接收下行信號(hào);
所述射頻電路用于轉(zhuǎn)換和放大信號(hào);
所述濾波器用于對(duì)下行信號(hào)和上行信號(hào)進(jìn)行濾波,并與天線(xiàn)相連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TDD設(shè)備,其特征在于,所述數(shù)字電路包括FPGA芯片、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器、時(shí)鐘發(fā)生器、處理器、第一濾波器、第二濾波器、光模塊;
所述第一濾波器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和FPGA芯片依次連接,所述FPGA芯片、數(shù)模轉(zhuǎn)換器和第二濾波器依次連接,所述光模塊與FPGA芯片連接;
所述光模塊用于光電轉(zhuǎn)換或電光轉(zhuǎn)換。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TDD設(shè)備,其特征在于,所述射頻電路包括上行鏈路和下行鏈路;
所述上行鏈路包括依次連接的環(huán)形器、第一開(kāi)關(guān)、低噪聲放大器、第一衰減器、第三濾波器、第一放大器、第二衰減器以及第一混頻器;
所述下行鏈路包括依次連接的第二混頻器、第四濾波器、第三衰減器、第二放大器、推動(dòng)放大器、末級(jí)放大器以及環(huán)形器。
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H04B1-59 .應(yīng)答器;發(fā)射機(jī)應(yīng)答機(jī)
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