[實(shí)用新型]芯片表面連接系統(tǒng)及功率模塊系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922492077.6
• 申請(qǐng)日: 2019-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN211125633U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閆鵬修;朱賢龍;李博強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L23/498;H01L23/495
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 黃麗

1.一種芯片表面連接系統(tǒng)，其特征在于，包括：

第一連接件，所述第一連接件包括第一連接件本體以及設(shè)置在所述第一連接件本體的鍍第一金屬層；其中，所述鍍第一金屬層由燒結(jié)在所述第一連接件本體一側(cè)的第二金屬顆粒組成；

第二連接件，所述第二連接件包括第二連接件本體以及設(shè)置在所述第二連接件本體的鍍第二金屬層；其中，所述鍍第二金屬層由燒結(jié)在所述第二連接件本體一側(cè)的第三金屬顆粒組成；

其中，所述鍍第一金屬層與所述鍍第二金屬層通過(guò)第一金屬燒結(jié)連接層連接；所述第一金屬燒結(jié)連接層由第一金屬顆粒燒結(jié)生成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片表面連接系統(tǒng)，其特征在于，所述第二金屬顆粒包括銀顆粒或銅顆粒。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片表面連接系統(tǒng)，其特征在于，所述第二金屬顆粒包括納米銀顆粒。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片表面連接系統(tǒng)，其特征在于，所述第三金屬顆粒包括銀顆粒或銅顆粒。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片表面連接系統(tǒng)，其特征在于，所述第三金屬顆粒包括納米銀顆粒。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的芯片表面連接系統(tǒng)，其特征在于，所述第二金屬顆粒選用所述第一金屬顆粒材質(zhì)相同的金屬顆粒。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的芯片表面連接系統(tǒng)，其特征在于，所述第三金屬顆粒選用所述第一金屬顆粒材質(zhì)相同的金屬顆粒。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的芯片表面連接系統(tǒng)，其特征在于，所述第二金屬顆粒選用所述第一金屬顆粒和所述第三金屬顆粒材質(zhì)相同的金屬顆粒。

9.一種功率模塊系統(tǒng)，其特征在于，包括底板和IGBT功率模塊；

所述底板包括底板本體以及設(shè)置在所述底板本體的鍍第一金屬層；其中，所述鍍第一金屬層由燒結(jié)在所述底板本體一側(cè)的第二金屬顆粒組成；

所述IGBT功率模塊包括IGBT功率模塊本體以及設(shè)置在所述IGBT功率模塊本體的鍍第二金屬層；其中，所述鍍第二金屬層由燒結(jié)在所述IGBT功率模塊本體一側(cè)的第三金屬顆粒組成；

其中，所述鍍第一金屬層與所述鍍第二金屬層通過(guò)第一金屬燒結(jié)連接層連接；所述第一金屬燒結(jié)連接層由第一金屬顆粒燒結(jié)生成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率模塊系統(tǒng)，其特征在于，所述IGBT功率模塊本體包括模封體、功率端子和信號(hào)端子；

所述鍍第二金屬層設(shè)置在所述模封體一側(cè)。