[實(shí)用新型]一種射頻設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922472820.1
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN211480240U
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 溫世議;蔡永宏;楊治華
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市大富科技股份有限公司
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20
• 代理公司: 深圳市深佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44285
• 代理人: 王兆林

本申請實(shí)施例公開了一種射頻設(shè)備，包括：蓋板、本體、第一低通結(jié)構(gòu)和第二低通結(jié)構(gòu)；所述第一低通結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述本體上，且所占空間為圓柱體形狀；所述第二低通結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述本體上，且所占空間為圓柱體形狀，所述蓋板與所述本體對應(yīng)位置之間的最大距離大于兩個所述圓柱體形狀的直徑中的較大值；所述第一低通結(jié)構(gòu)和所述第二低通結(jié)構(gòu)在平行于所述本體的底面上的投影存在重疊部分。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請實(shí)施例涉及通信領(lǐng)域，尤其涉及一種射頻設(shè)備。

背景技術(shù)

在電子學(xué)理論中，電流流過導(dǎo)體，導(dǎo)體周圍會形成磁場；交變電流通過導(dǎo)體，導(dǎo)體周圍會形成交變的電磁場，稱為電磁波。電磁波可以在空氣中傳播，并經(jīng)大氣層外緣的電離層反射，形成遠(yuǎn)距離傳輸能力。具有遠(yuǎn)距離傳輸能力的高頻電磁波可以稱為射頻。射頻技術(shù)在無線通信領(lǐng)域中被廣泛使用，產(chǎn)生射頻、使用射頻和對射頻進(jìn)行處理的設(shè)備統(tǒng)稱為射頻類設(shè)備。

低通濾波(Low-pass filter)是一種對射頻信號的過濾方式，規(guī)則為低頻率的射頻信號能正常通過，而超過設(shè)定臨界值的高頻率的射頻信號則被阻隔、減弱。但是阻隔、減弱的幅度則會依據(jù)不同的頻率以及不同的濾波程序(目的)而改變。低通濾波過程通過低通結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。

射頻類設(shè)備中，通常會使用低通結(jié)構(gòu)，低通結(jié)構(gòu)在射頻類設(shè)備中所占空間一般為圓柱體形狀且軸向與射頻類設(shè)備的外殼的上下表面平行，當(dāng)射頻類設(shè)備中存在多個低通結(jié)構(gòu)時，低通結(jié)構(gòu)同在同一水平面上，造成了空間的浪費(fèi)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本申請實(shí)施例第一方面提供了一種射頻設(shè)備，包括：蓋板、本體、第一低通結(jié)構(gòu)和第二低通結(jié)構(gòu)；

所述第一低通結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述本體上，且所占空間為圓柱體形狀；

所述第二低通結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述本體上，且所占空間為圓柱體形狀，所述蓋板與所述本體對應(yīng)位置之間的最大距離大于兩個所述圓柱體形狀的直徑中的較大值；

所述第一低通結(jié)構(gòu)和所述第二低通結(jié)構(gòu)在平行于所述本體的底面上的投影存在重疊部分。

基于本申請實(shí)施例第一方面，可選地，所述射頻設(shè)備為濾波器。

基于本申請實(shí)施例第一方面，可選地，所述第一低通結(jié)構(gòu)通過連接部件與其他部件連接，所述連接部件包括抽頭與連接片。

基于本申請實(shí)施例第一方面，可選地，所述第二低通結(jié)構(gòu)通過連接部件與其他部件連接，所述連接部件包括抽頭與連接片。

基于本申請實(shí)施例第一方面，可選地，所述第一低通結(jié)構(gòu)和所述第二低通結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有隔離片。

基于本申請實(shí)施例第一方面，可選地，所述第一低通結(jié)構(gòu)和所述第二低通結(jié)構(gòu)為同一類型的低通結(jié)構(gòu)。

基于本申請實(shí)施例第一方面，可選地，若所述第一低通結(jié)構(gòu)和所述第二低通結(jié)構(gòu)在平行于所述本體的底面上的投影的面積相等，則重疊部分的面積等于所述單個圓柱體形狀在所述本體底面上的投影面積

若所述第一低通結(jié)構(gòu)和所述第二低通結(jié)構(gòu)在平行于所述本體的底面上的投影的面積不相等，重疊部分的面積等于所述兩個圓柱體形狀在所述本體底面上的投影面積中的較小值。

基于本申請實(shí)施例第一方面，可選地，所述第一低通結(jié)構(gòu)和所述第二低通結(jié)構(gòu)布置于所述本體的凹槽內(nèi)。

基于本申請實(shí)施例第一方面，可選地，所述第一圓柱體的中軸平行于所述第二圓柱體的中軸。

基于本申請實(shí)施例第一方面，可選地，所述本體的底面設(shè)置有覆蓋在所述第一低通結(jié)構(gòu)或所述第二低通結(jié)構(gòu)上的低通蓋板。

從以上技術(shù)方案可以看出，本申請實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)：多個低通結(jié)構(gòu)在平行于本體底面的平面上的投影存在重疊關(guān)系，提高了射頻設(shè)備內(nèi)的空間使用率。提高了射頻設(shè)備內(nèi)的空間使用率。

附圖說明