[實用新型]一種低導通電阻的中低壓平面柵VDMOS器件有效
| 申請號： | 201922471072.5 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN211529958U | 公開（公告）日： | 2020-09-18 |
| 發明（設計）人： | 許劍;鐘傳杰;劉桂芝 | 申請（專利權）人： | 無錫麟力科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱曉林 |
| 地址： | 214192 江蘇省無錫市錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 通電 低壓 平面 vdmos 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種低導通電阻的中低壓平面柵VDMOS器件，其特征在于：包括N+型襯底；
所述N+型襯底上表面形成有N-型外延層；
所述N-型外延層內部中部形成有多個P型體區，相鄰的P型體區之間互不相連并由N-型外延層相隔離；
相鄰的P型體區之間形成有柵極氧化層，所述柵極氧化層跨接在相鄰的P型體區的上表面且邊緣延伸至P型體區內；
所述柵極氧化層上表面形成有多晶硅柵極且多晶硅柵極的中部斷開，形成有多晶硅柵注入窗口；
位于所述多晶硅柵注入窗口下方的N-型外延層的內部上部形成有N+有源區，作為低電阻區；
所述P型體區的頂部沿水平方向依次形成有N+有源區、P+有源區、N+有源區，兩個N+有源區之間形成有金屬接觸孔區域，所述P+有源區頂部與金屬接觸孔區域的底部相接，底部低于N+有源區底部；
所述N+有源區上方、多晶硅柵極上方、多晶硅柵注入窗口上方均形成有介質層；
所述介質層和P+有源區上方形成有金屬層，所述金屬層與N+有源區、P+有源區連接，形成源極金屬。
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