[實(shí)用新型]低壓降電壓轉(zhuǎn)換器電路及其可待機(jī)的電路系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922470569.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN211930616U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李懷兆;王茂林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 格科微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03K19/00 | 分類號(hào): | H03K19/00;H03K19/0175;G05F1/575 |
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| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低壓 電壓 轉(zhuǎn)換器 電路 及其 待機(jī) 系統(tǒng) | ||
本實(shí)用新型提供了一種低壓降電壓轉(zhuǎn)換器電路及其可待機(jī)的電路系統(tǒng),其中所述低壓降電壓轉(zhuǎn)換器電路,包括:功率單元,控制信號(hào)單元和存儲(chǔ)單元;所述存儲(chǔ)單元適于存儲(chǔ)所述功率單元在輸出電壓處于待機(jī)系統(tǒng)所需的電壓范圍和負(fù)載電阻時(shí),所述控制信號(hào)單元中各控制信號(hào)VG1~VGN;所述控制信號(hào)單元適于在所述待機(jī)系統(tǒng)進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)時(shí),調(diào)取所述存儲(chǔ)單元中所述各控制信號(hào)VG1~VGN的值,以控制所述功率單元中的相應(yīng)的功率器件的導(dǎo)通程度或開(kāi)關(guān)狀態(tài)。所述低壓降電壓轉(zhuǎn)換器電路及其可待機(jī)的電路系統(tǒng)能夠降低待機(jī)功耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種低壓降電壓轉(zhuǎn)換器電路及其可待機(jī)的電路系統(tǒng)。
背景技術(shù)
現(xiàn)有待機(jī)方案是當(dāng)系統(tǒng)進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)時(shí),由帶隙基準(zhǔn)配合電壓轉(zhuǎn)化器(voltageregulator)為系統(tǒng)供電。但是帶隙基準(zhǔn)和電壓轉(zhuǎn)換器自身的待機(jī)電流通常都在幾十微安到幾百微安不等,這些待機(jī)電流增加了系統(tǒng)待機(jī)功耗,減少了移動(dòng)設(shè)備的電池待機(jī)時(shí)間。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種低壓降電壓轉(zhuǎn)換器電路及其可待機(jī)的電路系統(tǒng),解決現(xiàn)有技術(shù)中系統(tǒng)待機(jī)存在待機(jī)電流的技術(shù)問(wèn)題。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型提供一種低壓降電壓轉(zhuǎn)換器電路,包括:功率單元,控制信號(hào)單元和存儲(chǔ)單元;
所述存儲(chǔ)單元適于存儲(chǔ)所述功率單元在輸出電壓處于待機(jī)系統(tǒng)所需的電壓范圍和負(fù)載電阻時(shí),所述控制信號(hào)單元中各控制信號(hào)VG1~VGN;
所述控制信號(hào)單元適于在所述待機(jī)系統(tǒng)進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)時(shí),調(diào)取所述存儲(chǔ)單元中所述各控制信號(hào)VG1~VGN的值,以控制所述功率單元中的相應(yīng)的功率器件的導(dǎo)通程度或開(kāi)關(guān)狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述控制信號(hào)VG1~VGN的值為電平值、開(kāi)關(guān)控制信號(hào)或者所述電平值和所述開(kāi)關(guān)控制信號(hào)的組合。
優(yōu)選地,所述開(kāi)關(guān)控制信號(hào)為數(shù)字控制序列或模擬電平值,用于控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通程度或者開(kāi)關(guān)狀態(tài)。
優(yōu)選地,包括:所述功率單元包括至少兩個(gè)并聯(lián)的功率器件,所述控制信號(hào)單元適于控制所述功率器件的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述功率器件為可控開(kāi)關(guān)特性的器件或者電路。
優(yōu)選地,所述功率器件為MOS、BJT JFET、MESFET、MODFET或其它的功率器件。
優(yōu)選地,所述存儲(chǔ)單元為寄存器或OTP。
優(yōu)選地,所述低壓降電壓轉(zhuǎn)換器電路還包括反饋單元,所述反饋單元適于建立所述功率單元的輸出電壓Vout與所述控制信號(hào)單元提供的控制信號(hào)VG1~VGN的電平值的對(duì)應(yīng)調(diào)節(jié)關(guān)系。
優(yōu)選地,所述反饋單元適于在所述功率單元的輸出電壓Vout降低時(shí),調(diào)節(jié)所述控制信號(hào)單元提供的控制信號(hào)VG1~VGN的電平值,使得所述輸出電壓Vout上升,在所述功率單元的輸出電壓Vout上升時(shí),調(diào)節(jié)所述控制信號(hào)單元提供的控制信號(hào)VG1~VGN的電平值,使得所述輸出電壓Vout下降。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案還提供了一種可待機(jī)的電路系統(tǒng),包括:工作電路單元,待機(jī)電路單元和總控電路單元;
所述待機(jī)電路單元適于在所述工作電路單元需要待機(jī)時(shí)候,在總控電路單元的驅(qū)使下,進(jìn)入待機(jī)工作狀態(tài);
所述待機(jī)電路包括如上所述的低壓降電壓轉(zhuǎn)換器電路。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),本實(shí)用新型的低壓降電壓轉(zhuǎn)換器電路及其可待機(jī)的電路系統(tǒng)具有以下有益效果:
本實(shí)用新型中提出一種無(wú)帶隙基準(zhǔn)的超低功耗LDO(低壓降電壓轉(zhuǎn)換器)電路,為系統(tǒng)待機(jī)時(shí)提供電源,LDO自身的待機(jī)功耗為零,完全消除了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中帶隙基準(zhǔn)和電壓轉(zhuǎn)換器自身的待機(jī)電流,從而降低了系統(tǒng)的整體待機(jī)功耗。并且可以根據(jù)系統(tǒng)待機(jī)時(shí)的工作狀態(tài)動(dòng)態(tài)調(diào)整該LDO電路的輸出電壓使待機(jī)功耗進(jìn)一步降低。
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